东北师范大学辛巍获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东北师范大学申请的专利基于一维GaS纳米带的短波可见偏振探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411844079.6，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权基于一维GaS纳米带的短波可见偏振探测器及其制备方法是由辛巍;景佳薇;陈佳美;石益萌;辛星;徐海阳设计研发完成，并于2024-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于一维GaS纳米带的短波可见偏振探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于一维GaS纳米带的短波可见偏振光电探测器及其制备方法，属于纳米功能材料、光电探测及航天技术领域技术领域。所述的偏振光电探测器包括：基底、对称电极、一维GaS纳米带；所述的一维GaS纳米带是由下方法制备的：取生长源GaS粉末放置于马弗炉石英管前端，SiO22Si基底置于后端，管式炉内通入ArH22，生长源GaS粉末在830‑850℃下，加热7分钟，基底上聚集出现多条一维GaS纳米带材料；用具有双面粘性的PDMS薄膜精准粘贴，分离，得一条一维GaS纳米带材料。基于一维纳米带几何结构，GaS呈现偏振各项异性，进而实现了偏振光电探测及偏振成像。
本发明授权基于一维GaS纳米带的短波可见偏振探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一维GaS纳米带材料，是由下方法制备的： 取生长源GaS粉末放置于马弗炉石英管前端，SiO2Si基底置于后端，管式炉内通入ArH2，生长源GaS粉末在830‑850℃下，加热7分钟，基底上聚集出现多条一维GaS纳米带材料；用具有双面粘性的PDMS薄膜精准粘贴，分离，得一条一维GaS纳米带材料； 先将炉子温度从室温25℃升温20分钟至700℃，炉子预热好之后设置16分钟升温至840℃，在升温到820℃时将马弗炉中心温区移动到与生长源GaS粉末位置，Ar流速调到55sccm； 到达生长温度840℃时，H2流速提升到35sccm；Ar流速调到55sccm；到达生长温度840℃时，H2流速提升到35sccm；成功生长二维多条GaS纳米带；停止通入H2，Ar流速升到80sccm，排尽H2，将加热温区移离生长源，降温后取出。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东北师范大学，其通讯地址为：130024 吉林省长春市南关区人民大街5268号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励