买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所申请的专利一种全片上集成光子芯片陀螺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411950098.7，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种全片上集成光子芯片陀螺是由李艾伦;毛玉政;员金明;谢良平设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全片上集成光子芯片陀螺在说明书摘要公布了：本发明属于集成光学、惯性传感技术领域，具体涉及一种全片上集成光子芯片陀螺。所述硅基异质集成芯片上集成的有源器件包含：SLD光源、薄膜铌酸锂调制器、探测器；所述硅基异质集成芯片上集成的无源器件包含：隔离器、一分二耦合器、起偏器、一分二耦合器、片上波导环；所述硅基异质集成芯片上还集成有：模斑转换器、弯曲波导、弯曲波导、模斑转换器。

本发明授权一种全片上集成光子芯片陀螺在权利要求书中公布了：1.一种全片上集成光子芯片陀螺，其特征在于，采用单一硅基异质集成芯片集成陀螺的所有有源器件和无源器件； 所述硅基异质集成芯片上集成的有源器件包含：SLD光源1‑1、薄膜铌酸锂调制器1‑8、探测器1‑12； 所述硅基异质集成芯片上集成的无源器件包含：隔离器1‑2、一分二耦合器I1‑5、起偏器1‑6、一分二耦合器II1‑7、片上波导环1‑10； 所述硅基异质集成芯片上还集成有：模斑转换器I1‑3、弯曲波导I1‑4、弯曲波导II1‑9、模斑转换器II1‑11； SLD光源1‑1依次通过隔离器1‑2、模斑转换器I1‑3、弯曲波导I1‑4与一分二耦合器I1‑5的第一输入端连接，一分二耦合器I1‑5的输出端与起偏器1‑6连接，起偏器1‑6另一侧与一分二耦合器II1‑7的输入端连接；一分二耦合器II1‑7的第一输出端与薄膜铌酸锂调制器1‑8第一调制臂连接，一分二耦合器II1‑7的第二输出端与薄膜铌酸锂调制器1‑8第二调制臂连接；薄膜铌酸锂调制器1‑8的第一输出端与片上波导环1‑10的第一输入端连接，薄膜铌酸锂调制器1‑8的第二输出端与片上波导环1‑10的第二输入端连接；一分二耦合器I1‑5第二输入端通过模斑转换器II1‑11与探测器1‑12连接； 薄膜铌酸锂调制器1‑8按照从光的传输顺序依次包含：SiN‑铌酸锂双层倒锥结构、转印的薄膜铌酸锂脊形直波导结构、铌酸锂‑SiN双层倒锥结构； 薄膜铌酸锂调制器1‑8通过如下方法得到： 首先通过光刻工艺对薄膜铌酸锂进行图形化，在薄膜铌酸锂上构建脊形波导、金电极以及方向相反的两个倒锥结构； 然后取下图形化后的薄膜铌酸锂，并用微转印设备将其转移至SiN波导上方，SiN波导周围填充层间介质辅助材料BCB；SiN波导上方设置有与所述两个倒锥结构相配合的两个倒锥结构，从而分别SiN‑铌酸锂双层倒锥结构、铌酸锂‑SiN双层倒锥结构；最后通过退火工艺使薄膜铌酸锂紧密粘附在SiN波导上方； 所述硅基异质集成芯片1中的无源器件之间的连接通过大宽高比的硅基SiN波导实现，所述大宽高比是指大于10； 所述硅基异质集成芯片1中的SLD光源1‑1、探测器1‑12通过在硅基衬底上转印微小图形化Ⅲ‑Ⅴ族材料实现； 所述弯曲波导I1‑4、弯曲波导II1‑9，所设计的弯曲半径满足临界值，可实现弯曲损耗≤0.01dB； 所述片上波导环1‑10采用大宽高比的多层硅基SiN波导实现，层间波导采用双层倒锥结构实现高效耦合，片上波导环厚度为0.1um，波导宽度为2µm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所，其通讯地址为：710076 陕西省西安市雁塔区锦业路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。