扬州纳力新材料科技有限公司曾来源获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州纳力新材料科技有限公司申请的专利一种集流体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942390.4，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权一种集流体及其制备方法和应用是由曾来源;朱中亚;夏建中;韩梦婕;李学法;张国平设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集流体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集流体及其制备方法和应用。所述集流体包括导电基膜，所述导电基膜的表面设置有第一导电层，所述第一导电层在远离所述集流体的一侧具有多孔结构，所述多孔结构为无序的多孔结构，具有多孔结构的导电层的厚度占所述第一导电层总厚度的50％以下。本发明的集流体具有良好的导电性，方阻低，集流体与电极材料的粘结力强。而且，本发明的集流体外观良好，具有优良的力学性能。
本发明授权一种集流体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种集流体，其特征在于，所述集流体包括导电基膜，所述导电基膜的表面设置有第一导电层，所述第一导电层包括第一铜层和第二铜层，所述第一铜层靠近所述集流体，所述第二铜层远离所述集流体，所述第二铜层具有无序的多孔结构；所述第二铜层的厚度占所述第一导电层总厚度的35%‑45%； 所述第二铜层中，孔的平均孔径为2μm‑6μm，孔隙率为20%‑38%； 所述导电基膜包括高分子膜以及设置在所述高分子膜表面的第二导电层；所述高分子膜和所述第二导电层之间还包括基底层，所述基底层为金属层、金属氧化物层或合金层。
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