中国科学院半导体研究所郑婉华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742662B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969781.5，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列是由郑婉华;陈杨;傅廷;季海洋;廖子源;朱蕴之;王宇飞设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列在说明书摘要公布了：本公开提供一种超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列，涉及半导体激光器技术领域。超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列包括：拓扑主阵列，用于通过泵浦产生输出光束；以及超对称对伴阵列，设置与拓扑主阵列耦合连接；其中，通过调控拓扑主阵列与超对称对伴阵列之间的耦合距离，使得光束中的高阶模式通过倏逝波耦合机制从拓扑主阵列耦合到超对称对伴阵列中，以及调控高阶模式的激射阈值。
本发明授权超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列在权利要求书中公布了：1.一种超对称匹配的拓扑保护半导体激光阵列，其特征在于，包括： 拓扑主阵列，用于通过泵浦产生输出光束；以及超对称对伴阵列，设置与所述拓扑主阵列耦合连接； 其中，通过调控所述拓扑主阵列与所述超对称对伴阵列之间的耦合距离，控制倏逝波耦合强度，使得所述光束中的高阶模式通过倏逝波耦合机制从所述拓扑主阵列耦合到所述超对称对伴阵列中，以及调控所述高阶模式的激射阈值，有效抑制了高阶模式的发射，实现了基模的稳定输出； 所述拓扑主阵列包括：中心波导；以及两个阵列排布的波导单元，被配置以所述中心波导为中心，镜像分布在所述中心波导的两侧，每个所述波导单元包括增益波导和损耗波导； 每个所述波导单元中的所述增益波导和所述损耗波导之间的耦合距离均小于或均大于两个相邻的所述波导单元之间的耦合距离； 在所述拓扑主阵列中，通过调控相邻波导之间的耦合距离，来实现相邻波导中的模场通过倏逝波耦合。
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