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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411905612.5，技术领域涉及：H10W40/00；该发明授权一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法是由王晗雪;陈军飞;李俊鹏;苏凯;张金风设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法，属于半导体领域，包括提供临时晶圆和SOI衬底，SOI衬底包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层；在第二硅层的表面生长氮化镓外延层；将临时晶圆与氮化镓外延层进行键合；在第一硅层的表面制备第一沟槽结构；向第一沟槽结构内充入腐蚀液或超声波清洗液去除键合片中的绝缘层，绝缘层去除时带动第一硅层脱落；在第二硅层的表面生长金刚石；在临时晶圆的表面制备第二沟槽结构；向第一沟槽结构内充入腐蚀液，通过腐蚀液腐蚀去除第一晶圆中的键合层，键合层去除时带动临时晶圆脱落，以得到金刚石氮化镓复合晶圆，从而能够提高金刚石氮化镓复合晶圆的质量和成品率。

本发明授权一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石氮化镓复合晶圆的制备方法，其特征在于，包括： 步骤一：提供一个临时晶圆和一个SOI衬底，所述SOI衬底包括依次层叠设置的第一硅层、绝缘层和第二硅层，所述第一硅层的厚度大于所述第二硅层的厚度； 步骤二：在所述SOI衬底中所述第二硅层的表面生长氮化镓外延层，得到氮化镓外延片； 步骤三：制备键合层，采用晶圆键合工艺将所述临时晶圆、键合层以及氮化镓外延层依次层叠进行键合，得到键合片； 步骤四：在所述键合片中的所述第一硅层的表面制备第一沟槽结构，所述第一沟槽结构包括多条横向分布的第一槽和多条纵向分布的第二槽，所述第一沟槽结构的深度和所述第一硅层的厚度相等； 步骤五：向所述第一沟槽结构内充入腐蚀液或超声波清洗液，通过腐蚀液腐蚀去除所述键合片中的所述绝缘层，或者通过超声波冲击去除所述键合片中的所述绝缘层，所述绝缘层去除时带动所述第一硅层脱落，以得到第一晶圆； 步骤六：在所述第一晶圆中的所述第二硅层的表面生长金刚石，得到第二晶圆； 步骤七：在所述第二晶圆中的所述临时晶圆的表面制备第二沟槽结构，所述第二沟槽结构包括多条横向分布的第三槽和多条纵向分布的第四槽，所述第二沟槽结构的深度和所述临时晶圆的厚度相等； 步骤八：向所述第一沟槽结构内充入腐蚀液，通过腐蚀液腐蚀去除所述第一晶圆中的所述键合层，所述键合层去除时带动所述临时晶圆脱落，以得到金刚石氮化镓复合晶圆； 其中，所述步骤四包括： 将所述键合片按照所述第一硅层朝上的方式放置于激光划片机中，采用激光划片工艺在所述第一硅层的表面划出横纵相交的所述第一槽和所述第二槽，其中，相邻两条所述第一槽之间的间距为2mm，相邻两条所述第二槽之间的间距为2mm，所述第一槽的深度和所述第二槽的深度均与所述第一硅层的厚度相等； 其中，所述步骤七包括： 将所述第二晶圆按照所述临时晶圆朝上的方式放置于激光划片机中，采用激光划片工艺在所述临时晶圆的表面划出横纵相交的所述第三槽和所述第四槽，其中，相邻两条所述第三槽之间的间距为2mm，相邻两条所述第四槽之间的间距为2mm，所述第三槽的深度和所述第四槽的深度均与所述临时晶圆的厚度相等。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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