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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411905627.1，技术领域涉及：H10W40/00；该发明授权一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法是由王晗雪;陈军飞;李俊鹏;陈兴;任泽阳设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法，属于半导体领域，包括提供一个氮化镓外延片和一个临时衬底，氮化镓外延片包括衬底层和氮化镓外延层；将氮化镓外延片、键合材料层以及临时衬底依次层叠并进行第一次键合，形成第一键合晶圆；去除第一键合晶圆中衬底层，得到第一样品；刻蚀氮化镓外延层以形成凹槽；提供一个金刚石衬底，刻蚀金刚石衬底以形成凸起；将金刚石衬底表面的凸起和氮化镓外延层表面的凹槽卡接，对金刚石衬底和氮化镓外延层进行第二次键合，得到第二键合晶圆；去除第二键合晶圆中的临时衬底和键合材料层，得到金刚石基氮化镓晶圆，从而能够氮化镓和金刚石衬底之间的键合强度。

本发明授权一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法在权利要求书中公布了：1.一种提高氮化镓和金刚石键合强度的晶圆集成方法，其特征在于，包括： 步骤一：提供一个氮化镓外延片和一个临时衬底，所述氮化镓外延片包括衬底层和氮化镓外延层； 步骤二：制备键合材料层，将所述氮化镓外延片、键合材料层以及临时衬底依次层叠并进行第一次键合，形成第一键合晶圆，所述氮化镓外延层和所述键合材料层相接触； 步骤三：去除所述第一键合晶圆中所述衬底层，得到第一样品； 步骤四：刻蚀所述第一样品中的所述氮化镓外延层，以在所述氮化镓外延层的表面形成凹槽； 步骤五：提供一个金刚石衬底，刻蚀所述金刚石衬底，以在所述金刚石衬底的表面形成凸起，所述凸起和所述凹槽相匹配； 步骤六：将所述金刚石衬底表面的凸起和所述氮化镓外延层表面的凹槽卡接，对所述金刚石衬底和所述氮化镓外延层进行第二次键合，得到第二键合晶圆； 步骤七：去除所述第二键合晶圆中的所述临时衬底和所述键合材料层，得到金刚石基氮化镓晶圆； 其中，所述步骤六具体包括： 步骤601：在光刻后的所述第一样品的表面和所述金刚石衬底的表面分别生长SiO2； 步骤602：对所述第一样品的表面和所述金刚石衬底的表面分别进行氧离子体处理； 步骤603：通过RCA1溶液和去离子水依次冲洗所述第一样品和所述金刚石衬底并甩干，以使所述第一样品的表面和所述金刚石衬底的表面具有亲水性； 步骤604：将所述第一样品和所述金刚石衬底放入光刻机的键合对准模块中，通过显微镜将所述氮化镓外延层表面的凹槽和所述金刚石衬底表面的凸起对准并卡接固定； 步骤605：将所述第一样品和所述金刚石衬底放入晶圆键合设备中进行键合，设置所述晶圆键合设备的键合温度为30℃，键合压力为12000N的压力，加压时间为5小时； 步骤606：将键合后的所述第一样品和所述金刚石衬底在400℃下退火1小时，得到第二键合晶圆。

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