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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411661696.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法是由刘志宏;李妍仪;许美;何佳琦;周瑾;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括S1、选取外延片，所述外延片包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层的异质结界面形成二维电子气，作为导电沟道；S2、在所述外延片上淀积厚度为50nm‑140nm的p‑GaN层，Mg掺杂浓度为5×101717‑5×102020cm‑3‑3，Mg杂质无激活；S3、在步骤S2所得的p‑GaN层的部分区域淀积n‑GaN层作为阻挡层以抑制部分p‑GaN层的激活；该选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，显著提高了制造效率，降低了成本，能够有效减少常规增强型GaNHEMT器件制造过程中刻蚀损伤对二维电子气密度和器件动态特性的影响，有利于提高器件的截止频率、减小器件的动态导通电阻和寄生电容，增强器件的可靠性。

本发明授权一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，其特征在于，所述方法包括： S1、选取外延片11，所述外延片11包括衬底层1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4，所述沟道层3与势垒层4的异质结界面形成二维电子气，作为导电沟道； S2、在所述外延片11上淀积厚度为50nm‑140nm的p‑GaN层5，Mg掺杂浓度为5×1017‑5×1020cm‑3，Mg杂质无激活; S3、在步骤S2所得的p‑GaN层5的部分区域淀积n‑GaN层6，所述n‑GaN层6作为阻挡层以抑制该部分p‑GaN层5的激活，n‑GaN层6的厚度为5nm‑200nm，Si掺杂浓度为1×1016‑1×1020cm‑3； S4、对步骤S3所得外延片11进行热退火处理，在N2氛围下激活未被n‑GaN层6覆盖的p‑GaN层5中的Mg杂质，形成p‑GaN栅7； S5、在p‑GaN栅7上制备栅金属电极10，所述栅金属电极10的结构自下而上依次为NiAu或TiN或W，与p‑GaN栅7形成肖特基接触，二维电子气的导电沟道受到p‑GaN栅7和栅金属电极10的调控； 在所述在步骤S4和步骤S5之间或步骤S5之后，还包括以下步骤： 在p‑GaN栅7和栅金属电极10两侧的势垒层4表面制备源电极8和漏电极9，所述源电极8和漏电极9分别与二维电子气形成欧姆接触； 所述源电极8和漏电极9的金属结构依次为Ti、Al、Ni和Au。

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