湖南大学刘渊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068811.3，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法是由刘渊;丁水妹;李婉莹设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法在说明书摘要公布了：一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法，包括：步骤1制作网格状的图案化三维印章；步骤2制作金属修饰的网格状的图案化三维印章；步骤3将所述金属修饰的网格状的图案化三维印章按压在晶圆级二维半导体上，以形成保型接触；步骤4将所述金属修饰的网格状的图案化三维印章与晶圆级二维半导体分离，即获得干式无污染的图案化晶圆级二维半导体。该方法可以无污染的、高效的、可扩展的对晶圆级二维半导体进行图案化。
本发明授权一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法在权利要求书中公布了：1.一种干式无污染的图案化晶圆级二维半导体的方法，其特征在于：包括： 步骤1制作具有凹凸图案的网格状的图案化三维印章； 步骤2制作金属修饰的网格状的图案化三维印章，其中金属形成在图案表面； 步骤3将所述金属修饰的网格状的图案化三维印章的修饰有金属的凸出区域表面按压在晶圆级二维半导体上，以形成保型接触； 步骤4将所述金属修饰的网格状的图案化三维印章与晶圆级二维半导体分离，所述三维印章的凸出区域将与其接触的二维半导体带走，与凹陷区域对应的二维半导体保留在基底上，即获得干式无污染的图案化晶圆级二维半导体； 所述步骤2中，所述金属为一层粘附性金属和一层功能性金属, 粘附性金属厚度为5‑10nm，功能性金属的厚度为20‑50nm；所述金属沉积的速率为3‑8Ås；所述粘附性金属为Ti或Cr；所述功能性金属为Au或Ag或Pd； 所述步骤3将所述金属修饰的网格状的图案化三维印章按压在晶圆级二维半导体上，以形成保型接触为：将金属修饰的网格状的图案化三维印章与晶圆级二维半导体的顶部贴合，缓慢按压，并低温退火，使金属修饰的网格状的图案化三维印章与晶圆级二维半导体形成保型接触。
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