京东方华灿光电(苏州)有限公司江宾获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善金属剥落的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411722397.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权改善金属剥落的发光二极管及其制备方法是由江宾;毛佳甜;宋飞翔;石跃航;韩艺蕃设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善金属剥落的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善金属剥落的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、钝化层、第一反射层和第二反射层；钝化层位于外延层的表面上，钝化层具有贯通钝化层的第一通孔；第一反射层位于钝化层的远离外延层的表面上，第一反射层通过第一通孔与外延层电性连接；第二反射层位于钝化层内，且位于钝化层的远离外延层的表面和靠近外延层的表面之间；第一反射层的远离外延层的表面具有露出钝化层的凹孔；第二反射层在外延层的表面上的正投影与凹孔在外延层的表面上的正投影交叠。本公开实施例能改善银镜反射层的粘附性，防止银镜反射层从钝化层上剥落，提升发光二极管的可靠性。
本发明授权改善金属剥落的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层20、钝化层30、第一反射层41、第二反射层42和保护层43； 所述钝化层30位于外延层20的表面上，所述钝化层30具有贯通所述钝化层30的第一通孔31； 所述第一反射层41位于所述钝化层30的远离所述外延层20的表面上，所述第一反射层41通过所述第一通孔31与所述外延层20电性连接； 所述第二反射层42位于所述钝化层30内，且位于所述钝化层30的远离所述外延层20的表面和靠近所述外延层20的表面之间； 所述第一反射层41的远离所述外延层20的表面具有露出所述钝化层30的凹孔410； 所述第二反射层42在所述外延层20的表面上的正投影与所述凹孔410在所述外延层20的表面上的正投影交叠； 所述保护层43至少位于所述第一反射层41的远离所述外延层20的表面和所述凹孔410内。
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