安徽美达伦光伏科技有限公司吴秋宏获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽美达伦光伏科技有限公司申请的专利一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510135456.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池及其制备方法是由吴秋宏;杨晓磊;樊选胜;宛正设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，具体公开了一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池，包括N型硅基体，N型硅基体的前表面设置有硼发射极，硼发射极的侧面设置有前置钝化层和减反射层，N型硅基体的背表面设置有隧穿氧化层，隧穿氧化层的侧面设置有氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅，氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅之间设置有导电氧化物。本发明提供的低寄生吸收TOPCon太阳能电池，在TOPCon电池的基础上，利用氟掺杂氧化锡透明导电的特性，以加厚的氟掺杂氧化锡作为第二层导电氧化层。不仅可以在退火时有效阻碍磷原子向内扩散，而且可以在烧结时限制金属Ag向内扩散。于是，通过加厚的氟掺杂氧化锡配置减薄的外层氢化重掺杂Poly‑Si，以减少寄生吸收。
本发明授权一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池，包括N型硅基体1，所述N型硅基体1的前表面设置有硼发射极2，所述硼发射极2的侧面设置有前置钝化层7和减反射层8，所述N型硅基体1的背表面设置有隧穿氧化层3，所述隧穿氧化层3的侧面设置有氢化轻掺杂多晶硅4和氢化重掺杂多晶硅6，所述氢化轻掺杂多晶硅4和氢化重掺杂多晶硅6之间设置有导电氧化物5，所述氢化重掺杂多晶硅6的侧面设置有后置钝化层9，所述氢化重掺杂多晶硅6和硼发射极2上均插设有金属电极Ag栅10。
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