买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中科镓(深圳)半导体科技有限公司;中国科学院半导体研究所申请的专利一种氮化镓单晶片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120250153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510737006.5，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种氮化镓单晶片制备方法是由杨少延;李成明;杨瑞;刘祥林;陈庆庆;贺腾;王奕程;张文冠;胡阿龙设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓单晶片制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种氮化镓单晶片材料制备方法，包括：将大于标准尺寸碳化硅衬底片放置在石墨托盘的容纳槽内并安装筒形氮化硅陶瓷保护罩组装成衬底托盘；将衬底托盘置入磁控溅射生长室依次制备锌铝氧多晶薄膜和氮化铝多晶薄膜；将衬底托盘置入高温高真空退火炉腔室进行高温高真空退火处理，将衬底托盘置入氢化物气相外延反应腔室制备氮化镓单晶厚膜材料；对剥离下来的大于标准尺寸氮化镓单晶厚膜晶圆进行切磨抛加工得到标准尺寸氮化镓单晶片材料；对剥离下来的碳化硅衬底片和使用的筒形氮化硅陶瓷保护罩清洗后可重复使用。本发明能够实现标准尺寸氮化镓单晶片材料低应力、低位错密度、低成本、高成品率制备。

本发明授权一种氮化镓单晶片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓单晶片制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：在石墨托盘的容纳槽内放置大于标准尺寸的碳化硅衬底片，在石墨托盘上安装筒形氮化硅陶瓷保护罩，组装得到衬底托盘； S2：将所述S1中的衬底托盘倒置安装在磁控溅射设备生长室的旋转基座上，在所述大于标准尺寸的碳化硅衬底片上依次制备锌铝氧多晶薄膜和氮化铝多晶薄膜； S3：将所述S2中的衬底托盘降温取出后放入高温高真空退火炉腔室内，进行高温高真空退火处理，锌铝氧多晶薄膜转换为多孔氧化铝弱键合解耦合层，氮化铝多晶薄膜转变为氮化铝单晶模板层； S4：将所述S3中的衬底托盘降温取出后倒置安装在氢化物气相外延设备反应腔室内的衬底旋转基座上，采用氢化物气相外延工艺在所述氮化铝单晶模板层上沉积氮化镓单晶厚膜； S5：将所述S4中的衬底托盘降温取出，拆下筒形氮化硅陶瓷保护罩，从所述大于标准尺寸的碳化硅衬底片上剥离得到大于标准尺寸的氮化镓单晶厚膜晶圆； S6：将所述大于标准尺寸的氮化硅单晶厚膜晶圆切磨抛加工，得到标准尺寸的氮化镓单晶片； S7：对大于标准尺寸碳化硅衬底片和筒形氮化硅陶瓷保护罩进行氯气氛下高温高真空烘烤清洗； S8：重复步骤S1至步骤S7； 所述步骤S1中，所述筒形氮化硅陶瓷保护罩上开设沉积窗口，所述筒形氮化硅陶瓷保护罩与所述石墨托盘柔性连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科镓(深圳)半导体科技有限公司;中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道平湖社区湖田路16号8栋厂房103；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。