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龙图腾网获悉四川大学申请的专利基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510852564.6，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器及制备方法是由向钢;张析;李德仁设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器及制备方法，涉及忆阻器技术领域，该忆阻器包括自下向上依次设置的衬底层、阻变介质层和顶电极层，其中，所述阻变介质层为Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜，所述Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的厚度为100nm~700nm。本申请的忆阻器以铁磁性较强的Mn掺杂GeSe基薄膜为阻变介质层材料，将材料的磁性引入器件的电阻变化过程中，使得忆阻器表现出了典型的电阻转变特性和生物突触特征，且本申请的忆阻器表现出磁场可调的电阻转变特性和生物突触可塑性，在多功能非易失性忆阻器件和神经形态电子器件中显示出巨大的应用潜力。

本发明授权基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的忆阻器，其特征在于，包括自下向上依次设置的衬底层30、阻变介质层20和顶电极层10，其中，所述阻变介质层20为Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜，所述Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜的厚度为300nm~500nm，所述Mn掺杂GeSe基磁性半导体薄膜中Mn的浓度为1%；所述顶电极层10为Ag，所述顶电极层10的厚度为10~100 nm，每个顶电极为直径100μm的圆形电极，所述忆阻器具有磁场控制的电阻开关特性和生物突触可塑性，且随磁场的增加，所述忆阻器具有SET电压向更高电压偏移的特性以及电阻开关比变大的特性； 所述忆阻器的制备方法包括： S1：裁剪并清洁SiSiO2Pt衬底层； S2：放置样品：将GeSe粉末和MnCl2粉末按MnCl2粉末质量比为70%作为生长源置于刚玉片的中间位置，然后将刚玉片置于双温区管式炉中的高温区位置，将步骤S1所得的SiSiO2Pt衬底层置于低温区位置，其中衬底和生长源粉末的距离为25cm； S3：生长薄膜：启动管式炉，将高温区和低温区的温度分别设置为770℃和200℃，高温区的生长曲线是50℃→400℃用时70 min，400℃→770℃用时60 min，770℃的时候保温90~120 min，然后程序自然降温，低温区的生长曲线是30 ℃→200 ℃用时130 min，200℃的时候保温90~120 min，然后程序自然降温，整个生长过程在ArH2混合气氛中进行，通气的流量为30 sccm；待到生长结束后管式炉自然降温至室温； S4：生长电极：使用金属硬掩模法通过磁控溅射方法在GeMnSe薄膜的表面上制备Ag的顶电极，此处的Ag电极是直径100μm的圆形电极，沉积时间为10 min，厚度为10~100 nm，溅射温度为室温，Ag顶电极溅射完成后在N2气氛下400 ℃快速退火120 s，得到AgGeMnSePt结构的磁性忆阻器。

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