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龙图腾网获悉河源市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种晶圆键合崩边优化方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510483372.2，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权一种晶圆键合崩边优化方法及半导体器件是由李国强;衣新燕;彭田田;欧阳佩东设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆键合崩边优化方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆键合崩边优化方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该晶圆键合崩边优化方法包括步骤：在衬底上依次制作牺牲层和种子层以获得上层晶圆；在上层晶圆上制作沿上下方向贯穿牺牲层的凹槽并使牺牲层被去除后能够形成连通凹槽与外界的通道；在上层晶圆上制作第一键合层并通过第一键合层对凹槽封口，以使凹槽内形成中空结构；将第一键合层热压键合在下层晶圆的第二键合层上并在热压键合前或热压键合时去除牺牲层；减薄衬底并去除包括凹槽的外围结构。本发明的晶圆键合崩边优化方法解决现有技术方案用于特定应用场景时导致键合质量降低的问题，达到保证键合质量和提高器件质量的效果。

本发明授权一种晶圆键合崩边优化方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合崩边优化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在衬底上依次制作牺牲层和种子层以获得上层晶圆；所述牺牲层位于所述衬底的边缘； S2.在所述上层晶圆上制作沿上下方向贯穿所述牺牲层的凹槽并使所述牺牲层被去除后能够形成连通所述凹槽与外界的通道； S3.基于常压的非真空环境条件下，在所述上层晶圆上制作第一键合层并通过所述第一键合层对所述凹槽封口，以使所述凹槽内形成中空结构； S4.将所述第一键合层热压键合在下层晶圆的第二键合层上并在热压键合前或热压键合时去除所述牺牲层，以使热压键合时所述中空结构出现薄壁且所述中空结构内的气体因受热膨胀而冲破所述薄壁，致使所述中空结构与外界连通，从而降低所述中空结构的内部压力；具体步骤包括： S41.当所述牺牲层由非受热挥发且非受热分解的材料制成时，在热压键合前去除所述牺牲层； S42.当所述牺牲层由受热挥发或受热分解的材料制成时，利用热压键合时的热量在热压键合时去除所述牺牲层； S5.减薄所述衬底并去除包括所述凹槽的外围结构。

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