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龙图腾网获悉西湖大学申请的专利基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120591864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510567517.7，技术领域涉及：C25D11/12；该发明授权基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体及其制备方法和应用是由文燎勇;李继业;闫思思设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光子晶体材料制备技术领域，具体涉及一种基于三维纳米结构阳极氧化铝3D‑AAO光子晶体的创新制备方法及其多功能应用。通过采用基于铝的程序化脉冲阳极氧化工艺，并结合后续的刻蚀步骤，本发明实现了3D‑AAO光子晶体内部三维纳米孔道网络结构的精确构筑，具有高精度、高可控性的优势。区别于传统二维AAO的单一维度调控，本发明通过三维空间内的自组织生长机制，在垂直方向以及微米‑纳米跨尺度范围内，实现了具有梯度折射率分布的光学超材料的构建。所制得的3D‑AAO光子晶体材料不仅拥有亮丽、稳定且可调控的结构色，还具备优异的光学性能和可靠的物理稳定性，并可广泛应用于装饰材料、艺术工艺品、功能性涂层、消费电子产品外壳和高端家居饰品领域。

本发明授权基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将超纯铝箔切割后，进行清洗、抛光和第一次阳极氧化处理，再去除第一次阳极氧化形成的不规则的多孔氧化铝层，形成平整的表面； S2、将表面平整的超纯铝箔置于0‑5 °C下、0.1‑1.0 M的H2SO4电解液中，采用脉冲电压程序进行第二次阳极氧化；每个脉冲电压程序由一个恒压阶段和一个脉冲阶段组成，恒压阶段的电压为25 V，单次持续时间为100‑600 s，脉冲阶段的电压为32‑35 V，单次持续时间为0.5‑3 s，脉冲时的电流密度为35‑90 mA cm‑2；调整脉冲电压程序的循环次数，以形成均匀且稳定的氧化层为目标，得到第二次阳极氧化后的铝片； S3、将铝片上第二次阳极氧化形成的氧化层剥离下来，然后刻蚀处理，制得高度规则的具有三维互联多孔结构的3D‑AAO光子晶体样品； S4、将3D‑AAO光子晶体样品放进管式炉，5‑20 ℃ min‑1升温速率，逐渐加热至300‑900 ℃，保温处理0.5‑24 h，冷却至室温，将阳极氧化过程中引入的硫酸根阴离子杂质除去，即可制得基于三维结构的阳极氧化铝光子晶体。

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