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龙图腾网获悉中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)申请的专利用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法及装置、探测设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120671319B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510569455.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法及装置、探测设备、存储介质是由朱庆林;蔺发军;孙威;徐彬;葛淑灿;董翔;黄立峰;卢昌盛;孔宪明;马征征;刘馨蔚设计研发完成，并于2025-05-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法及装置、探测设备、存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及短波通信技术领域，公开一种用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法，包括：构建生成电离层传播环境；其中，电离层传播环境包括中性气体环境和离子环境、高能粒子附加电离区反射结构；追踪经过高能粒子附加电离区反射结构的射线，构建传播路径仿真模型；根据传播路径仿真模型，确定传播损耗及高能粒子传播总衰减。该方法的技术效果说明。该方法可实现高能粒子附加电离区传播损耗的评估分析，提升高能粒子附加电离区传播损耗计算的准确性。本申请还公开一种用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的装置及探测设备、存储介质。

本发明授权用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法及装置、探测设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于评估高能粒子附加电离区传播损耗的方法，其特征在于，包括： 构建生成电离层传播环境；其中，电离层传播环境包括中性气体环境和离子环境、高能粒子附加电离区反射结构； 追踪经过高能粒子附加电离区反射结构的射线，构建传播路径仿真模型； 根据传播路径仿真模型，确定传播损耗及高能粒子传播总衰减； 其中，按照以下方式生成高能粒子附加电离区反射结构： ； 其中，表示等离子频率，表示背景电子密度，表示高能粒子附加电离区位置坐标，表示高能粒子注入点坐标，表示增强结构幅度系数，表示增强结构半径系数； 追踪经过高能粒子附加电离区反射结构的射线，构建传播路径仿真模型，包括： 配置仿真参数，仿真参数包括射线参数； 根据仿真参数，获得电离层高度所对应的射线参数变化量； 按照仿真参数与射线参数变化量，配置射线的传播参数； 追踪经过高能粒子附加电离区反射结构的射线，生成传播路径仿真模型； 高能粒子传播总衰减表示射线由通信发射点至通信接收点所产生的自由空间传播衰减与自由空间球面波传播衰减、电离层碰撞吸收衰减所构成的总衰减；根据传播路径仿真模型，确定高能粒子传播总衰减，包括： 根据传播路径仿真模型，获得第位置点的射线追踪变步长及射线追踪位置点总数量； 根据配置的仿真参数，确定通信频率； 根据，获得高能粒子传播总衰减。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)，其通讯地址为：266107 山东省青岛市城阳区仙山东路36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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