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龙图腾网获悉湖南三胜科技有限公司申请的专利一种光衰率低的智能半导体LED灯带获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120720563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511097080.1，技术领域涉及：F21V19/00；该发明授权一种光衰率低的智能半导体LED灯带是由王飞;董彪设计研发完成，并于2025-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光衰率低的智能半导体LED灯带在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光衰率低的智能半导体LED灯带，涉及半导体技术领域，包括LED灯珠、柔性基板和导热线。多个LED灯珠通过导线串联，LED灯珠包括表面GaNp‑n同质结结构和荧光粉层，荧光粉层涂覆于表面GaNp‑n同质结结构上；LED灯珠固设于柔性基板上以形成盘状阵列或弯折阵列；导热线一端连接至LED灯珠底部，另一端连接至主动散热结构；主动散热结构与LED灯珠的电源线并联，主动散热结构包括TEC半导体。本发明通过表面GaNp‑n同质结结构优化载流子注入，减少效率下降，显著降低非辐射复合和光学损耗，延长LED寿命；并且支持盘状或弯折状排布，提高空间利用率；以及TEC主动散热系统与LED电源并联，随亮度自适应调节散热强度，有效抑制热致光衰。

本发明授权一种光衰率低的智能半导体LED灯带在权利要求书中公布了：1.一种光衰率低的智能半导体LED灯带，其特征在于，包括： LED灯珠1，其数量为多个，多个所述LED灯珠1通过导线2串联，所述LED灯珠1包括表面GaN p‑n同质结结构和荧光粉层，所述表面GaN p‑n同质结结构通过选择性区域再生长形成，所述荧光粉层涂覆于所述表面GaN p‑n同质结结构上； 柔性基板，所述LED灯珠1固设于所述柔性基板上以形成盘状阵列或弯折阵列； 导热线3，一端连接至所述LED灯珠1底部，另一端连接至主动散热结构4； 所述主动散热结构4与所述LED灯珠1的电源线并联，所述主动散热结构4包括TEC半导体41以及与所述TEC半导体41串联的可变电阻器42，所述可变电阻器42的调节端连接有散热强度调节旋钮； 其中，所述表面GaN p‑n同质结结构包括： 蓝宝石衬底； 缓冲层，形成于所述蓝宝石衬底上； InGaNGaN多量子阱活性层，形成于所述缓冲层上，所述多量子阱活性层包括5~7对量子阱，InGaN阱厚2~4 nm，GaN垒厚10~15 nm； p型GaN层，通过选择性区域再生长形成于所述活性层上； n型GaN层，形成于所述p型GaN层上； 所述荧光粉层采用YAG:Ce或LuAG:Ce荧光粉，与硅胶混合涂覆于所述n型GaN层表面； 所述LED灯珠1还包括导热垫，所述导热垫采用氮化铝，固定于所述蓝宝石衬底底部，连接所述导热线3。

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