买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511229682.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体集成器件及其制备方法是由顾怡恬;李长安;吴钧烨;毛丹枫;刘轩设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体集成器件及其制备方法，该半导体集成器件的制备方法包括：提供衬底，并在衬底上依次形成沟道层和势垒层，衬底包括至少两个器件分区，至少两个器件分区包括第一器件分区和第二器件分区；在势垒层背离沟道层的一侧形成位于第一器件分区内的第一p型帽层和位于第二器件分区内的第二p型帽层；在第一p型帽层和第二p型帽层背离势垒层的一侧形成钝化层；对钝化层进行刻蚀，形成与第一p型帽层相对的第一通孔；通过第一通孔对第一p型帽层进行氢处理；在钝化层背离势垒层的一侧形成位于第一器件分区内的第一栅极，第一栅极通过第一通孔与第一p型帽层接触。该制备方法能够针对性的对第一p型帽层进行氢处理且提高器件的稳定性。

本发明授权一种半导体集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成沟道层和势垒层，所述衬底包括至少两个器件分区，所述至少两个器件分区包括第一器件分区和第二器件分区； 在所述势垒层背离所述沟道层的一侧形成位于所述第一器件分区内的第一p型帽层和位于所述第二器件分区内的第二p型帽层； 在形成所述第一p型帽层和第二p型帽层后，在所述第一p型帽层和第二p型帽层背离所述势垒层的一侧形成钝化层； 对所述钝化层进行刻蚀，形成与所述第一p型帽层相对的第一通孔，所述第一通孔在所述衬底上的正投影位于所述第一p型帽层在所述衬底上的正投影内； 通过所述第一通孔对所述第一p型帽层进行氢处理； 在对所述第一p型帽层进行氢处理后，直接在所述钝化层背离所述势垒层的一侧形成位于所述第一器件分区内、且延伸到所述第一通孔内的第一栅极，所述第一栅极通过所述第一通孔与其所在的第一器件分区内的所述第一p型帽层肖特基接触； 在所述第一p型帽层和第二p型帽层背离所述势垒层的一侧形成钝化层，包括： 在所述第一p型帽层和所述第二p型帽层背离所述势垒层的一侧形成第一钝化层； 对所述第一钝化层和所述势垒层进行刻蚀，形成位于所述第一器件分区内的第一凹槽和第二凹槽，以及形成位于所述第二器件分区内的第三凹槽和第四凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽间隔设置于所述第一p型帽层的两侧，所述第三凹槽和第四凹槽间隔设置于所述第二p型帽层的两侧； 在所述第一钝化层背离所述势垒层的一侧形成源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行刻蚀，形成位于第一凹槽处的第一源极、位于第二凹槽处的第一漏极、位于第三凹槽处的第二源极和位于所述第四凹槽处的第二漏极； 对所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极进行热处理，所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极与所述势垒层和所述沟道层的界面处欧姆连接； 在所述第一钝化层背离所述势垒层的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层与所述第一钝化层组成所述钝化层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。