北京大学彭海琳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120844046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511351473.0，技术领域涉及：C23C16/01；该发明授权一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法是由彭海琳;高欣;谭聪伟;王语腾设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法，涉及半导体材料技术领域。本发明提供的二维硒氧化铋薄膜的转移方法通过TRT层支撑层应力层氧化物层的复合转移媒介，实现硒氧化铋薄膜的无损、洁净转移，在转移过程中氧化物层作为接触层能够确保硒氧化铋在转移过程中免受损伤，保证其优异的电学性质，应力层提供拉伸应力，能够实现晶圆级硒氧化铋的干法无损剥离，支撑层能够避免剥离过程中薄膜的开裂，实现硒氧化铋薄膜的无损、洁净转移，转移后的硒氧化铋薄膜完整连续，表面平整，表面粗糙度小于0.65nm，薄膜均匀性良好。
本发明授权一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法在权利要求书中公布了：1.一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在二维硒氧化铋薄膜表面依次形成氧化物层、应力层、支撑层和TRT层，得到TRT层支撑层应力层氧化物层二维硒氧化铋生长基底的复合结构； S2.将TRT支撑层应力层氧化物层二维硒氧化铋从生长基底表面剥离，再将二维硒氧化铋转移至目标基底； 所述氧化物层的厚度为2~20nm； 所述应力层的厚度为300~2000nm； 所述支撑层的厚度为1000~3000nm； S1中所述氧化物层的氧化物为氧化铪和或氧化铝； S1中所述应力层为Cr层、Mo层、Pt层和Ni层中的任意一种，所述支撑层为Au层、Ag层或Cu层。
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