安徽越好电子装备有限公司陈桉苡获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽越好电子装备有限公司申请的专利一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120878530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511386146.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备是由陈桉苡;俞峰;黄俊凯;宋国祥设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备在说明书摘要公布了：本发明名称为一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备，属于半导体刻蚀与清洗设备技术领域。所要解决的技术问题为现有设备在处理大面积基板时存在的等离子体分布不均、密度低及深孔刻蚀效果差的问题。技术方案要点为本设备包括一个以电容耦合等离子体CCP反应腔为核心的主处理腔室，以及一个位于腔室外部的远程电感耦合等离子体ICP源，且设有一根或多根专用的管道，将由ICP源生成的高密度等离子体，直接输送并注入到CCP处理区域的外围。此设计能够精确补偿基板边缘的等离子体密度衰减，实现了中心与边缘等离子体控制的协同作用，提高了大面积刻蚀与清洗的速率和均匀性。
本发明授权一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备在权利要求书中公布了：1.一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备，其特征在于：包括：处理腔室，所述处理腔室内设置上电极1和下电极2，所述下电极2被配置用于承载基板9，所述上电极1和下电极2被配置用于在上电极1和下电极2之间的处理区域内生成电容耦合等离子体即CCP； 主气体入口，所述主气体入口被配置用于向所述处理区域供应第一管路气体； 电感耦合等离子体源，所述电感耦合等离子体源即ICP源，位于所述处理腔室的外部，所述电感耦合等离子体源被配置用于由第二管路气体生成电感耦合等离子体即ICP； 至少一根的管道，所述管道将所述ICP源的输出端与所述处理区域的外围区域流体连通，其中，管道被配置用于将由所述ICP源生成的所述电感耦合等离子体输送至所述处理区域的外围，对所述电容耦合等离子体进行补充。
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