通威微电子有限公司张忠辉获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利改善晶体形貌的生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484863.5，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权改善晶体形貌的生长装置及方法是由张忠辉设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善晶体形貌的生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改善晶体形貌的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长领域。该生长装置及配套的生长方法在坩埚体的顶部选择性地安装具有特定形状的气相出口的导流块，并设置平移机构驱动坩埚盖带着籽晶在气相出口的上方往复直线运动，根据气相出口形状和籽晶运动速率的不同，晶体的生长面会呈现不同的形貌，因此采用这种扫描式的长晶方式能够弱化晶体形貌和质量对热场的依赖性，精准调控晶体的形貌，减小晶体内应力和位错等缺陷。
本发明授权改善晶体形貌的生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种改善晶体形貌的生长装置，其特征在于，包括： 长晶炉体100； 坩埚体200，所述坩埚体200位于所述长晶炉体100内，用于盛装碳化硅粉料700； 多个导流块210，所述多个导流块210择一可拆卸连接于所述坩埚体200的顶部，每个所述导流块210均设置有气相出口，每个所述气相出口均呈长条形且沿第一方向延伸，且每个所述气相出口中部和两端的宽度大小关系不同； 加热器300，所述加热器300位于所述长晶炉体100内且围绕所述坩埚体200设置； 坩埚盖400，所述坩埚盖400位于所述长晶炉体100内且设置有籽晶410； 平移机构500，所述平移机构500与所述坩埚盖400连接，用于驱动所述坩埚盖400沿第二方向以预设速率往复运动，从而使所述籽晶410沿所述第二方向往复经过所述气相出口的上方； 其中，所述第二方向与所述第一方向垂直； 所述导流块210的数量为三个，三个所述导流块210上的气相出口分别为第一出口212、第二出口214和第三出口216，所述第一出口212中部的宽度等于两端的宽度，所述第二出口214中部的宽度大于两端的宽度，所述第三出口216中部的宽度小于两端的宽度。
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