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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种大尺寸晶体生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484868.8，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种大尺寸晶体生长装置及方法是由张忠辉设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸晶体生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种大尺寸晶体生长装置及方法，涉及碳化硅长晶技术领域。大尺寸晶体生长方法应用大尺寸晶体生长装置生长碳化硅晶体，大尺寸晶体生长装置包括坩埚、籽晶、导流件及加热组件。坩埚内设置有多孔石墨板，多孔石墨板将坩埚分为沿轴向排布的第一腔室与第二腔室，第一腔室位于第二腔室的上侧，第一腔室与第二腔室均用于容置碳化硅粉料。导流件与第二腔室内壁形成导流通道，导流通道具有入口与出口，入口朝向多孔石墨板，出口朝向籽晶的外侧。根据加热件的特殊设置方式，第一腔室内的碳化硅粉料升华后的长晶气氛能在导流通道的引导下从出口流向籽晶的外侧，以实现碳化硅晶体在籽晶上的扩径生长，从而制备大直径的碳化硅晶体。

本发明授权一种大尺寸晶体生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100内设置有多孔石墨板600，所述多孔石墨板600将所述坩埚100分为沿轴向间隔排布的第一腔室101与第二腔室102，所述第一腔室101位于所述第二腔室102的上侧，所述第一腔室101与所述第二腔室102均用于容置碳化硅粉料2； 籽晶500，所述籽晶500位于所述第二腔室102内且位于所述第二腔室102内碳化硅粉料2的上侧； 导流件200，所述导流件200与所述多孔石墨板600靠近所述第二腔室102的一侧连接，所述导流件200呈环状且位于所述籽晶500与所述第二腔室102内壁之间，所述导流件200与所述第二腔室102内壁形成导流通道且所述导流通道具有入口1015与出口1014，所述入口1015朝向所述多孔石墨板600，所述出口1014朝向所述籽晶500的外侧； 加热组件，所述加热组件包括第一加热件710与第二加热件720，所述第一加热件710对应所述第一腔室101设置，所述第二加热件720对应所述第二腔室102设置； 其中，所述第一腔室101内的碳化硅粉料2升华后的长晶气氛能在所述导流通道的引导下从所述出口1014流向所述籽晶500的外侧。

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