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龙图腾网获悉苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请的专利一种加速度传感器制备方法及加速度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120971759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511493869.9，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权一种加速度传感器制备方法及加速度传感器是由李诺伦;李哲;庄瑞芬设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种加速度传感器制备方法及加速度传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及微机电技术领域，具体涉及一种加速度传感器制备方法及加速度传感器，方法包括：在衬底表面依次沉积第一牺牲层以及作为固定电极的第一结构层；对第一结构层进行图案化刻蚀，形成保护结构；在第一结构层表面沉积第二牺牲层；对第二牺牲层表面进行刻蚀，形成深度小于第二牺牲层厚度的凹槽；在第二牺牲层表面沉积作为质量块电极的第二结构层；对第二结构层进行图案化刻蚀，形成止挡结构；所述止挡结构与保护结构在衬底上的投影至少部分重叠；释放第一牺牲层以及第二牺牲层。本申请能够在制备电极同时形成保护结构及止挡结构，不仅提高了加工效率，缩短了制备周期，还有效降低了制造成本。

本发明授权一种加速度传感器制备方法及加速度传感器在权利要求书中公布了：1.一种加速度传感器制备方法，其特征在于，包括： 在衬底100表面依次沉积第一牺牲层101以及作为固定电极102的第一结构层103； 对第一结构层103进行图案化刻蚀，在预设区域形成保护结构104； 在第一结构层103表面沉积第二牺牲层105； 对第二牺牲层105表面进行刻蚀，形成深度小于第二牺牲层105厚度的凹槽106； 所述凹槽106投影落入保护结构104投影的外轮廓内； 在第二牺牲层105表面形成作为质量块电极107的第二结构层108；所述第二结构层108在凹槽106处对应形成凸起109； 对第二结构层108进行图案化刻蚀，形成止挡结构110；所述止挡结构110与保护结构104在衬底100上的投影至少部分重叠； 释放第一牺牲层101以及第二牺牲层105；其中，释放所述质量块电极107与固定电极102之间的第二牺牲层105，用于形成运动空间111；保留部分用于支撑第二结构层108的第二牺牲层105；释放所述保护结构104与衬底100之间的第一牺牲层101，用于形成避让空间112；保留部分用于在衬底100上支撑固定电极102及保护结构104的第一牺牲层101。

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