苏州中科重仪半导体材料有限公司李方政获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州中科重仪半导体材料有限公司申请的专利外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120980910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511487465.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权外延结构及其制备方法、半导体器件是由李方政;管昌雨;朱虹设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件。根据本发明实施例的外延结构包括衬底；位于所述衬底上方的多周期h‑BNAlN层，其中，所述多周期h‑BNAlN层包括交替堆叠的h‑BN层和AlN层。根据本发明实施例的外延结构及其制备方法、半导体器件，能够有效提高耐压性能。
本发明授权外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，包括： 衬底； 设置在所述衬底上方的AlN缓冲层； 位于所述AlN缓冲层上方的多周期h‑BNAlN层，所述多周期h‑BNAlN层用于提高击穿电压；以及设置在所述多周期h‑BNAlN层上方的h‑BN沟道缓冲层； 其中，所述外延结构为氮化镓外延结构； 所述多周期h‑BNAlN层包括交替堆叠的h‑BN层和AlN层； 所述多周期h‑BNAlN层中的h‑BN层的厚度介于1‑10nm之间；所述多周期h‑BNAlN层中的AlN层的厚度介于30‑500nm之间。
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