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龙图腾网获悉苏州镓锐芯光科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120999400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511524731.0，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李增成;刘治;黄思溢;李方直;吴思设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括第一半导体接触层、第二半导体接触层和第一电极层；其中，第一半导体接触层的第一表面包括多个连接的台阶面，台阶面包括连接的主表面和连接面；一个台阶面的主表面与相邻的台阶面的连接面连接；其中，第二半导体接触层包括多个子接触结构，子接触结构与主表面接触，子接触结构呈纳米片结构或者纳米岛状结构；一个子接触结构朝向主表面一侧的整个表面与一个台阶面的主表面的部分区域接触；其中，第一电极层位于第二半导体接触层背离第一半导体接触层的一侧且覆盖子接触结构侧部的第一半导体接触层。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括沿第三方向依次层叠的衬底层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、第一半导体接触层、第二半导体接触层和第一电极层；所述第二半导体接触层的晶格常数大于第一半导体接触层的晶格常数； 其中，所述第一半导体接触层的第一表面包括多个连接的台阶面，所述台阶面包括连接的主表面和连接面；一个所述台阶面的主表面与相邻的所述台阶面的连接面连接，所述主表面相对于相邻所述台阶面的排布方向倾斜设置；第一表面具有斜切角θ=DL，L为主表面沿第二方向的尺寸，D为主表面沿第三方向的高度；所述台阶面沿第一方向延伸，相邻的所述台阶面沿第二方向排布；所述台阶面沿所述第一方向的尺寸大于所述台阶面沿所述第二方向的尺寸，所述台阶面呈长条状；所述第二方向、所述第一方向和所述第三方向两两垂直； 其中，所述第二半导体接触层包括多个子接触结构，所述子接触结构与所述主表面接触，所述子接触结构呈纳米片结构或者纳米岛状结构；一个所述子接触结构朝向所述主表面一侧的整个表面与一个所述台阶面的主表面的部分区域接触； 其中，所述子接触结构包括沿垂直于所述主表面的方向上多个依次层叠的第一子层至第N子层，第一子层至所述第一半导体接触层的距离小于第N子层至所述第一半导体接触层的距离；所述第一子层沿平行于所述主表面的方向上的尺寸至第N子层沿平行于所述主表面的方向上的尺寸递减；其中，N为大于或等于2的整数，n为大于或等于1且小于或等于N的整数； 其中，所述第一电极层位于所述第二半导体接触层背离所述第一半导体接触层的一侧且覆盖所述子接触结构侧部的所述第一半导体接触层。

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