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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121000210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511508953.3，技术领域涉及：H03K17/13；该发明授权一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片是由沈光煦;陈新宇;李嘉琪;车文荃设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片，开关内部的磁耦合不是由两个电感互耦产生的，而是交叉耦合电感产生的，其优势在于产生磁耦合的位置自由度高，可以灵活控制产生零点的个数与位置，在低频处引入额外的零点，实现阻带抑制。本发明利用由晶体管组和接地电感并联构成的晶体管谐振器，通过晶体管组的关断电容与接地电感谐振构成滤波网络，产生传输极点，且两个晶体管谐振器之间的的主耦合为电容耦合，通过调节主耦合电容的大小可以调节开关的极点位置和通带带宽，实现宽带性能。通过串联晶体管与串联电容，利用晶体管导通电感与串联电容谐振在隔离态产生新传输零点，提升了开关的隔离度。

本发明授权一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于电磁耦合相消技术的高阻带抑制开关芯片，其特征在于，第一射频端口、输入匹配网络、主耦合电容、输出匹配网络、第二射频端口；第一晶体管谐振器一端接输入匹配网络与主耦合电容的连接处，另一端接地，第二晶体管谐振器一端接主耦合电容与输出匹配网络的连接处，另一端接地；交叉耦合电感的一端位于：输入端口与输入匹配网络连接处、或者第一晶体管谐振器与主耦合电容的连接处；交叉耦合电感的另一端位于：输出端口与输出匹配网络连接处、或者第二晶体管谐振器与主耦合电容的连接处； 所述第一晶体管谐振器包括第一晶体管组和第一接地电感，其中第一晶体管组与第一接地电感并联构成，所述第二晶体管谐振器包括第二晶体管组和第二接地电感，其中第二晶体管谐振器由第二晶体管组与第二接地电感并联构成； 所述第一晶体管组与第二晶体管组由n个的晶体管通过漏极源极串联构成，其中n为n≥1的整数； 第一晶体管谐振器和第二晶体管谐振器还分别包含一个串联电容，串联电容位于第一晶体管组和第二晶体管组内晶体管的漏极源极串联形成的支路的任意位置上，串联电容与晶体管组所构成的整体一端与主耦合电容电连接，另一端接地； 第一晶体管组和第二晶体管组内的晶体管的栅极分别通过串联大电阻接入偏置电压，通过控制偏置电压实现晶体管的开断切换，所有晶体管的偏置电压都相同。

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