合肥晶合集成电路股份有限公司韩小虎获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利静电保护结构及制备方法、静电保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511534901.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护结构及制备方法、静电保护电路是由韩小虎;李婷设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护结构及制备方法、静电保护电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种静电保护结构及制备方法、静电保护电路。该静电保护结构包括：衬底、形成于所述衬底的具有第二掺杂类型的阱区、形成于阱区表面的栅极结构以及形成栅极结构两侧阱区中的漏极区域和源极区域；所述漏极区域至少包括具有第一掺杂类型的第一漂移区，间隔形成于第一漂移区中的具有第一掺杂类型的第一重掺杂区及具有第二掺杂类型的第二重掺杂区；所述源极区域至少包括间隔设置的具有第一掺杂类型的第二漂移区和具有第二掺杂类型的第三漂移区，及形成于所述第二漂移区的具有第一掺杂类型的第四重掺杂区，形成于第三漂移区的具有第二掺杂类型的第四重掺杂区。通过在静电保护结构内形成正反馈回路，从而泄放大的ESD电流。
本发明授权静电保护结构及制备方法、静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，包括： 衬底、形成于所述衬底的具有第二掺杂类型的阱区、形成于阱区表面的栅极结构以及形成栅极结构两侧阱区中的漏极区域和源极区域； 所述漏极区域至少包括具有第一掺杂类型的第一漂移区，间隔形成于第一漂移区中的具有第一掺杂类型的第一重掺杂区及具有第二掺杂类型的第二重掺杂区； 所述源极区域至少包括间隔设置的具有第一掺杂类型的第二漂移区和具有第二掺杂类型的第三漂移区，及形成于所述第二漂移区的具有第一掺杂类型的第三重掺杂区，形成于第三漂移区的具有第二掺杂类型的第四重掺杂区； 所述漏极区域还包括具有第一掺杂类型的第五重掺杂区和具有第一掺杂类型的第四漂移区，所述第五重掺杂区与所述第一漂移区接触；所述第四漂移区延伸至栅极结构下方，并与第五重掺杂区接触。
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