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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利自驱动双极响应光电探测器及制备方法、加密光通信系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511525556.7，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权自驱动双极响应光电探测器及制备方法、加密光通信系统是由苏晓东;韩王胤;王文璨;邹帅;田维;李亮设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本自驱动双极响应光电探测器及制备方法、加密光通信系统在说明书摘要公布了：本申请公开一种自驱动双极响应光电探测器及制备方法、加密光通信系统。涉及光电探测技术领域。制备方法包括：利用湿法刻蚀工艺在n型硅衬底的表面形成第一绒面结构；通过硼扩散形成具有第一绒面结构的初始发射极层；对初始发射极层依次进行热氧化处理和湿法处理，制备获得具有第二绒面结构的p型发射极层；在p型发射极层的表面依次沉积p型钙钛矿层和n型电子传输层；在电极沉积区域和n型电子传输层的表面分别沉积电极层，制备获得双极切换点在520nm‑780nm的自驱动双极响应光电探测器。本申请不仅实现宽光谱下的双极响应，还实现器件双极切换点的连续变化，并通过选择不同范围和双极响应强度的双极器件可以进行多通道的混合加密。

本发明授权自驱动双极响应光电探测器及制备方法、加密光通信系统在权利要求书中公布了：1.一种自驱动双极响应光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一n型硅衬底，利用湿法刻蚀工艺在所述n型硅衬底的表面形成第一绒面结构； 通过硼扩散形成具有所述第一绒面结构的初始发射极层； 对所述初始发射极层依次进行热氧化处理和湿法处理，制备获得具有第二绒面结构的p型发射极层，所述第二绒面结构的高度为200nm‑400nm中任一值，所述p型发射极层的硼掺杂浓度为1017cm‑3‑1018cm‑3中任一值； 利用所述湿法刻蚀工艺在所述p型发射极层表面刻蚀形成电极沉积区域； 在所述p型发射极层的表面依次沉积p型钙钛矿层和n型电子传输层； 在所述电极沉积区域和所述n型电子传输层的表面分别沉积电极层，制备获得双极切换点为520nm‑780nm中任一值的所述自驱动双极响应光电探测器；其中，所述自驱动双极响应光电探测器具有电场方向相反的两个内建电场，所述热氧化处理的氧化时间为0min‑120min中任一值，氧化温度为600℃‑1200℃中任一值，所述湿法处理的溶液为氢氟酸溶液。

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