湘潭大学燕少安获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511527521.7，技术领域涉及：H10N19/00；该发明授权一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门是由燕少安;占扬;朱颖方;李好设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门，包括衬底，所述衬底上左右两侧对称设置两个结构相同的器件，所述器件包括从上到下依次设置的顶电极、中间层和底电极，中间层采用铁电薄膜；外部偏置电压施加在两个器件的顶电极上，两个器件的底电极接地；器件上方设置激光发射器；利用铁电薄膜的热释电效应，器件通过调节外部偏置电压控制铁电薄膜的极化方向及剩余极化强度，从而调节热释电电流响应，实现五种逻辑门的运算。本发明通过调节外部偏置电压实时控制铁电极化方向及剩余极化强度，可实现器件的动态逻辑重构，使同一器件无需硬件变更即可动态切换五种逻辑功能。
本发明授权一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门在权利要求书中公布了：1.一种基于铪基铁电薄膜热释电效应的可重构光电逻辑门，其特征在于：包括衬底，所述衬底上左右两侧对称设置两个结构相同的器件，所述器件包括从上到下依次设置的顶电极、中间层和底电极，所述中间层采用铁电薄膜；外部偏置电压施加在两个器件的顶电极上，两个器件的底电极接地；器件上方设置激光发射器，在近红外激光照射下，器件的表面温度发生变化，进而产生热释电电流，产生的热释电电流经过负反馈电路的处理后转换为高电平或低电平输出；利用铁电薄膜的热释电效应，器件通过调节外部偏置电压控制铁电薄膜的极化方向及剩余极化强度，从而调节热释电电流响应，实现五种逻辑门的运算，五种逻辑门包括：和门，即AND门；或门，即OR门；与非门，即NAND门；或非门，即NOR门；非门，即NOT门。
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