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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121031232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511562980.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统是由庞久;王晓;王昭设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件检测技术领域，提供一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统，其检测方法包括如下步骤：构建多物理场耦合有限元模型，运行有限元模型获得初始仿真数据，通过对初始仿真数据进行参数敏感性分析确定典型失效模式的关键应力参数组合；采集SiC功率器件工作参数并进行实时校准及去噪得实测数据，生成关键区域温度梯度图谱；通过深度强化学习算法对初始仿真数据与实测数据进行分析后并对关键应力参数组合及关键区域参数进行迭代优化；设定失效判据阈值，并进行趋势预测，将趋势预测结果与失效判决阈值进行对比，根据对比结果执行多级响应策略。本申请能够实现SiC功率器件封装可靠性在多物理场耦合场景下的准确检测。

本发明授权一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率器件封装可靠性检测方法，其特征在于，包括如下步骤： 构建SiC功率器件的多物理场耦合有限元模型； 运行多物理场耦合有限元模型获得初始仿真数据，对所述初始仿真数据进行参数敏感性分析以确定典型失效模式的关键应力参数组合； 采集SiC功率器件在运行状态下的工作参数，对所述工作参数进行实时校准、去噪后获得实测数据；所述采集SiC功率器件在运行状态下的工作参数过程中，通过动态区域追踪技术定位SiC功率器件的关键区域，依据实测数据生成SiC功率器件的关键区域温度梯度图谱； 通过深度强化学习算法对所述仿真数据和所述实测数据进行对比分析，基于对比分析结果对所述关键应力参数组合及所述多物理场耦合有限元模型的关键区域参数进行迭代优化，直至所述初始仿真数据与所述实测数据之间的误差位于设定范围，从而获得优化后的关键应力参数组合及多物理场耦合有限元模型的关键区域参数； 根据优化后的关键应力参数组合及多物理场耦合有限元模型的关键区域参数进行仿真获得最终仿真数据，依据所述最终仿真数据设定失效判据阈值； 将所述关键区域温度梯度图谱输入趋势预测模型进行趋势预测并获得预测数据，将所述预测数据与所述失效判据阈值进行对比，根据对比结果执行多级响应策略； 对所述初始仿真数据进行参数敏感性分析以确定典型失效模式的关键应力参数组合的过程为：通过Morris全局敏感性分析法设计应力参数采样矩阵；对每组应力参数组合执行有限元仿真，输出失效指标；计算各应力参数对失效时间的归一化敏感系数，确定典型失效模式的关键应力参数组合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：400000 重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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