南京邮电大学沈光煦获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121036737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543954.1，技术领域涉及：H03K17/00；该发明授权一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片是由沈光煦;陈新宇;李嘉琪;车文荃设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片在说明书摘要公布了：本发明提出了一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片，输入端口、输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组、输出传输线和输出端口依次电连接；环形地围绕在输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组和输出传输线的外围。RAM核心MIM单元为三层的三明治结构，从下到上分别为底电极层、介质层、顶电极层；底电极与顶电极之间无电连接，由中间介质层完全隔离开。本发明利用n个ReRAM核心MIM单元同向等距排布构成ReRAM核心MIM单元组，降低开关导通电阻，显著降低插入损耗，引入渐变地线共面波导传输线以减轻间隙电容效应，实现隔离度提升并改善高频阻抗匹配。
本发明授权一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片在权利要求书中公布了：1.一种面向5G射频前端的非易失性射频开关芯片，其特征在于，输入端口、输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组、输出传输线和输出端口依次电连接；环形地围绕在输入传输线、ReRAM核心区MIM单元组和输出传输线的外围； ReRAM核心区MIM单元组，由n个ReRAM核心MIM单元同向等距排布构成，其中n为大于1的整数；ReRAM核心MIM单元为三层的三明治结构，从下到上分别为底电极层、介质层、顶电极层；底电极与顶电极之间无电连接，由中间介质层完全隔离开，三层垂直的区域为重叠区； ReRAM核心MIM单元的底电极延伸出重叠区的区域与输入传输线的输出端相连，顶电极延伸出重叠区的区域与输出传输线的输入端相连。
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