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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038338B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511582270.2，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种半导体器件及电子设备是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的导通性能，降低半导体器件的比导通电阻。半导体器件包括衬底，漂移层位于衬底一侧且设有P型沟道部；第一半导体结构包括沿第一方向延伸的N型沟道部和第一P型连接部，第一P型连接部位于N型沟道部沿第二方向的一侧的侧面；第一方向为衬底的厚度方向，第二方向垂直于第一方向；第二半导体结构和P型沟道部在第一方向上有交叠且包括第二P型连接部，第二P型连接部位于P型沟道部沿第二方向的一侧；第一电极至少设于第一半导体结构和第二半导体结构远离衬底的一侧；第二电极至少设于P型沟道部沿第二方向的另一侧；第三电极设于衬底远离漂移层的一侧。

本发明授权一种半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 漂移层，设于所述衬底的沿第一方向的一侧，所述漂移层中设有P型沟道部；所述第一方向为所述衬底的厚度方向； 第一半导体结构，设于所述漂移层远离所述衬底的一侧；所述第一半导体结构包括沿所述第一方向延伸的N型沟道部和第一P型连接部，所述第一P型连接部位于所述N型沟道部沿第二方向的一侧的侧面；所述第二方向垂直于所述第一方向； 第二半导体结构，设于所述漂移层远离所述衬底的一侧，且所述第二半导体结构和所述P型沟道部在所述第一方向上有交叠；所述第二半导体结构包括第二P型连接部，所述第二P型连接部在所述衬底上的正投影，位于所述P型沟道部在所述衬底上的正投影沿所述第二方向的一侧； 第一电极，至少设于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构远离所述衬底的一侧； 第二电极，所述第二电极在所述衬底上的正投影，至少位于所述P型沟道部在所述衬底上的正投影沿所述第二方向的另一侧； 第三电极，设于所述衬底远离所述漂移层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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