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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利芯片功率耐受健壮性的检测方法、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121056052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511578716.4，技术领域涉及：H04B17/10；该发明授权芯片功率耐受健壮性的检测方法、系统及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片功率耐受健壮性的检测方法、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明适用于通信技术领域，尤其涉及一种芯片功率耐受健壮性的检测方法、系统及存储介质。本发明通过对第一功率测量单元的插损和第二功率测量单元的插损进行校准；根据第一测量值和第二测量值计算出待测芯片的第一增益值；停止向功率放大器发射输入信号，并记录当前第二电源的第二静态电流；将第一静态电流与第二静态电流进行比较；根据第三测量值和第四测量值计算出待测芯片的第二增益值；将第一增益值和第二增益值进行比较，判断第一比较值或第二比较值是否超过预设比较值：若是，将第三测量值的作为待测芯片的耐受极限值。与现有技术相比，本发明能够准确的对待测芯片的耐受性进行检测评估，从而防止由于接收高功率信号而导致芯片损坏。

本发明授权芯片功率耐受健壮性的检测方法、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片功率耐受健壮性的检测方法，其特征在于，所述检测方法基于功率耐受检测设备，所述功率耐受检测设备包括第一电源、第二电源、第一功率测量单元和依次电连接的信号发射单元、功率放大器、隔离器、耦合器、衰减器以及第二功率测量单元；所述第一电源用于为所述功率放大器供电，所述第二电源用于为待测芯片提供电压和电流，所述第一功率测量单元用于检测所述待测芯片的输入功率； 所述检测方法包括以下步骤： S1、对所述第一功率测量单元的插损和所述第二功率测量单元的插损进行校准； S2、将所述第一电源和所述第二电源打开，并记录当前所述第二电源的第一静态电流； S3、将所述信号发射单元打开，通过所述信号发射单元向所述功率放大器发射输入信号，记录当前所述第一功率测量单元的测量值为第一测量值，并将所述第一功率测量单元的第一测量值保持小于第一预设值，记录当前所述第二功率测量单元的测量值为第二测量值；根据所述第一测量值和所述第二测量值计算出所述待测芯片的第一增益值； S4、将所述信号发射单元的发射信号的功率增加第二预设值，记录当前所述第一功率测量单元的测量值为第三测量值； S5、将所述信号发射单元关闭，停止向所述功率放大器发射输入信号，并记录当前所述第二电源的第二静态电流；将所述第一静态电流与所述第二静态电流进行比较，得到第一比较值； S6、将所述信号发射单元打开，通过所述信号发射单元向所述功率放大器发射输入信号，并将所述第一功率测量单元的第一测量值保持小于所述第一预设值，记录当前所述第二功率测量单元的测量值为第四测量值；根据所述第三测量值和所述第四测量值计算出所述待测芯片的第二增益值；将所述第一增益值和所述第二增益值进行比较，得到第二比较值； S7、判断所述第一比较值或所述第二比较值是否超过预设比较值：若是，则判断所述待测芯片为损坏，并将所述第三测量值的作为所述待测芯片的耐受极限值；若否，则返回重复步骤S4‑S7，直至得出所述待测芯片的耐受极限值。

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