北京师范大学褚晓琳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学申请的专利一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596379.1，技术领域涉及：C12N7/00；该发明授权一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法及应用是由褚晓琳;张全国设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法及应用，属于微生物技术领域。本发明培养方法使用低温环境作为培养手段，包括：将祖先型荧光假单胞菌接入培养基，在8~12℃条件下驯化培养，获得低温驯化的祖先型细菌培养液；将噬菌体和低温驯化的祖先型细菌培养液接入培养基中，在8~12℃条件下进化培养、分离得到噬菌体液；将所述噬菌体液和低温驯化的祖先型细菌培养液接入培养基中，在8~12℃条件下进化培养，重复分离和进化培养步骤。本发明使用限制细菌生长的低温环境对噬菌体传代培养，并在培养过程中使用低温驯化后的祖先型细菌作为宿主来源，能够降低噬菌体死亡速率，同时获得噬菌体的低死亡速率更稳定。
本发明授权一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种低死亡速率荧光假单胞菌噬菌体的培养方法，其特征在于，所述培养方法步骤如下：将祖先型荧光假单胞菌接入培养基，在8~12℃条件下驯化培养，获得低温驯化的祖先型细菌培养液；将噬菌体和低温驯化的祖先型细菌培养液接入培养基中，在8~12℃条件下进化培养、分离得到噬菌体液；将所述噬菌体液和低温驯化的祖先型细菌培养液接入培养基中，在8~12℃条件下进化培养，重复分离和进化培养步骤； 所述祖先型荧光假单胞菌为荧光假单胞菌Pseudomonas fluorescensSBW25，所述噬菌体为荧光假单胞菌噬菌体SBW25Ф2； 所述噬菌体液的分离方法包括：向进化培养后的培养液中加入氯仿，涡旋震荡后静置，离心，取上清液得到噬菌体液； 所述重复的次数为20~30次。
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