西安交通大学孙安邦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种双层外壳结构射频自中和等离子体源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121075895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511621016.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种双层外壳结构射频自中和等离子体源是由孙安邦;张立伟;杨谨远;冯晨曦;张思远;王安之设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层外壳结构射频自中和等离子体源在说明书摘要公布了：本发明属于等离子体领域，公开了一种双层外壳结构射频自中和等离子体源，包括接地外壳、射频外壳、放电室、射频线圈和栅极系统；射频线圈绕于放电室外部；放电室上游设置有进气口，下游设置有出口，出口连接有栅极系统，射频外壳包覆于放电室和射频线圈之外，并位于接地外壳之内；栅极系统包括屏栅和加速栅，射频外壳与屏栅电气相连，接地外壳和加速栅电气相连。本发明通过在放电室和接地外壳之间引入射频外壳的方法，提升了屏栅直流自偏压分量和屏栅射频电压分量幅值的比值，进而改善射频自中和等离子体源的束流能量与引出效率，实现等离子体源性能的提升。
本发明授权一种双层外壳结构射频自中和等离子体源在权利要求书中公布了：1.一种双层外壳结构射频自中和等离子体源，其特征在于，包括接地外壳1、射频外壳2、放电室3、射频线圈4和栅极系统； 射频线圈4绕于放电室3外部；放电室3上游设置有进气口，下游设置有出口，出口连接有栅极系统；射频外壳2包覆于放电室3和射频线圈4之外，并位于接地外壳1之内； 栅极系统包括屏栅5和加速栅6，射频外壳2与屏栅5电气相连，接地外壳1和加速栅6电气相连； 屏栅5经隔直电容C1连接屏栅射频电源V1，屏栅射频电源V1连接地电位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励