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龙图腾网获悉金兰功率半导体(无锡)有限公司申请的专利一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121076013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511607320.8，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺是由周建军;朱泉荣设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺，涉及半导体封装技术领域，自动分裂系统包括上料模组，上料模组设置至少一个转运料盒和气缸开关，转运料盒一侧壁设置气缸组件和转运传感器，控制器通过接收转运传感器的信号，驱动转运机器人从转运料盒取出陶瓷覆铜母板；分裂模组包括真空平台，真空平台上方设置下压气缸，下压气缸连接长边分裂压刀和短边分裂压刀，真空平台两侧设置长边定位推刀和短边定位推刀；自动分裂模组上平行设置第一分裂平台和第二分裂平台，DCB转运机械手将DCB接驳平台的陶瓷覆铜基板转运至DCB转运模组。本发明实现自动上下料，预防取料破损；通过分裂系统实现DCB自动分裂，自动传送，提升效率。

本发明授权一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统，其特征在于，包括： 上料模组1，所述上料模组1上设置至少一个转运料盒13和控制转运料盒13开关的气缸开关12，所述转运料盒13一侧壁设置相互电连接的气缸组件和转运传感器，控制器通过接收转运传感器的信号，驱动转运机器人3从转运料盒13取出陶瓷覆铜母板14； 分裂模组2，所述分裂模组2包括第二支撑架21，第二支撑架21上设置真空平台22，真空平台22上方的第二支撑架21上设置下压气缸23，所述下压气缸23的输出端连接长边分裂压刀24和短边分裂压刀25，所述真空平台22底部设置相互电连接的升降气缸26和接触传感器，所述真空平台22沿长度方向的两侧设置长边定位推刀27，所述真空平台22沿宽度方向的一侧设置短边定位推刀28； 自动分裂模组4，自动分裂模组4包括第一分裂平台42和第二分裂平台43，所述第一分裂平台42底部设置第一物料接触传感器和第一升降电机，所述第一分裂平台42一侧沿长度方向设置第一推刀44，所述第一分裂平台42和第二分裂平台43的交接处设置第一分裂压刀45，第二分裂平台43一侧沿宽度方向设置第二推刀46，所述第二分裂平台43底部设置第二物料接触传感器和第二升降电机；所述第二分裂平台43一侧沿宽度方向设置第二分裂压刀47，所述第二分裂平台43上对应第二分裂压刀47的一侧设置DCB接驳平台48； DCB转运模组5，DCB转运机械手10将DCB接驳平台48的陶瓷覆铜基板转运至DCB转运模组5。

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