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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511587599.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件，碳化硅晶体管包括：衬底、以及设于衬底之上的碳化硅层，碳化硅层包括：依次叠层设于衬底之上的缓冲层、漂移层、源极接触层，碳化硅层远离衬底的一侧表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽的底部位于漂移层中，栅极沟槽内的底部填充有第一掺杂碳化硅，第一掺杂碳化硅的表面依次堆叠有栅极和辅助电极，辅助电极和栅极连接，栅极和辅助电极包括的材料不同，如此，通过栅极和辅助电极的设置，降低了碳化硅晶体管的栅极的电阻，提高了碳化硅晶体管的开关速度。

本发明授权一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体管，其特征在于，包括：衬底、以及设于所述衬底之上的碳化硅层；所述碳化硅层包括：依次叠层设于所述衬底之上的缓冲层、漂移层、源极接触层； 所述碳化硅层远离所述衬底的一侧表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部位于所述漂移层中，所述栅极沟槽内的底部填充有第一掺杂碳化硅，所述第一掺杂碳化硅的表面依次堆叠有栅极和辅助电极，所述辅助电极和所述栅极连接，所述栅极和所述辅助电极包括的材料不同，所述栅极包括硅化镍，所述辅助电极包括多晶硅； 所述碳化硅晶体管还包括第二掺杂碳化硅和第三掺杂碳化硅，所述第二掺杂碳化硅设于所述源极接触层背离所述衬底的一侧，且，所述第二掺杂碳化硅裸露出所述源极接触层的至少部分表面，所述第三掺杂碳化硅位于所述栅极沟槽内且连接于所述第一掺杂碳化硅和所述第二掺杂碳化硅之间，所述源极设于所述源极接触层裸露出的所述至少部分表面，所述源极在参考面中沿第一方向的第一长度大于所述源极在所述参考面中沿所述第一方向的第二长度； 在所述第一掺杂碳化硅远离所述栅极沟槽的底部的一侧沿第三方向设置有N型掺杂区，所述N型掺杂区沿所述第三方向延伸，所述第三方向分别与所述第一方向和第二方向垂直，所述N型掺杂区内设有至少一个N型掺杂部，所述N型掺杂部设有多个，各所述N型掺杂部沿所述第三方向间隔排布； 其中，所述第一掺杂碳化硅为P型碳化硅，所述漂移层与所述第一掺杂碳化硅形成超结，所述参考面为所述第一方向和第二方向相交构成的平面，所述第一方向平行于所述衬底的表面，所述第二方向为所述衬底指向所述源极接触层的方向，所述第一长度为所述源极在所述参考面中背离所述源极接触层的一侧的长度，所述第二长度为所述源极在所述参考面中朝向所述源极接触层的一侧的长度。

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