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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511619148.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管是由王充;张晓娜;郭凯;李勇强;俄文文;李晋闽设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管，属于二极管制备技术领域。方法包括：在衬底上表面生长外延层；台面刻蚀至n‑AlGaN薄膜中部，形成n电极台面；从n电极台面上表面开始向下刻蚀至AlN缓冲层中，形成周期阵列形式的第一通孔；在第一通孔外围沉积Au薄膜；将外延片放入熔融态KOH中来对第一通孔进行侧壁粗化；通过HCl溶液清洗并进行去离子水冲洗；在第一通孔内沉积高反射金属薄膜；沉积SiO22薄膜，并刻蚀第一通孔外的SiO22薄膜；王水浸泡外延片膜；蒸镀n金属体系和p金属体系。本发明使金属的合金化更均匀，从而减少漏电，降低工作电压，提高电光转换效率。

本发明授权紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： S1，在衬底101上表面从下至上依次生长AlN缓冲层102、n‑AlGaN薄膜103、MQW薄膜104、p‑EBL105、p‑AlGaN薄膜106、p‑GaN薄膜107； S2，对S1获得的外延片进行台面刻蚀至n‑AlGaN薄膜103中部，形成n电极台面； S3，从n电极台面上表面开始向下刻蚀至AlN缓冲层102中，形成周期阵列形式的第一通孔； S4，在n电极台面上表面的第一通孔外围沉积Au薄膜； S5，将S4获得的外延片放入熔融态KOH中来对第一通孔进行侧壁粗化； S6，通过HCl溶液清洗S5获得的外延片，并进行去离子水冲洗； S7，在第一通孔内沉积高反射金属薄膜108，去胶清洗并甩干； S8，在S7获得的外延片上表面沉积SiO2薄膜109，并刻蚀第一通孔外的SiO2薄膜109，去胶清洗并甩干； S9，王水浸泡S8获得的外延片，去除第一通孔外的Au薄膜； S10，蒸镀n金属体系和p金属体系，所述n金属体系和p金属体系均为横向和纵向周期性分布结构； 所述S10在蒸镀n金属体系时，包括：先通过光刻掩膜，在n电极台面上表面蒸镀Ti层114，去胶清洗并甩干；然后通过光刻掩膜蒸镀Al层115，周期阵列填充率为50%，去胶清洗并甩干；接着再次蒸镀Ti层或其他金属层116；最后蒸镀n‑Au层117，形成n金属体系； 所述Ti层或其他金属层116中的其他金属为Cr； 所述S10在蒸镀p金属体系时，包括：先通过光刻掩膜，在p‑GaN薄膜107上表面蒸镀Ni层110，去胶清洗并甩干；然后通过光刻掩膜蒸镀Rh层111，周期阵列填充率为50%，去胶清洗并甩干；接着，再次蒸镀Ni层或其他金属层112；最后蒸镀p‑Au层113，形成p金属体系；所述Ni层或其他金属层112中的其他金属为Ag。

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