成都大学李露明获国家专利权
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龙图腾网获悉成都大学申请的专利一种双层纳米硅基材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121097060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632235.7，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种双层纳米硅基材料及其制备方法和应用是由李露明设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层纳米硅基材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双层纳米硅基材料及其制备方法和应用，属于储能技术领域。该双层纳米硅基材料自内向外依次包括核层和第一壳层和第二壳层；所述核层为纳米硅，所述第一壳层为碳化硅层，厚度为1.1‑5.0nm，所述第二壳层为碳层，厚度为1.1‑4.2nm；所述核层和第一壳层之间形成碳硅键，且第一壳层和第二壳层之间形成碳硅键。该材料一方面通过高强度刚性骨架物理限域硅体积膨胀；另一方面构建离子电子协同导通的功能化界面层，实现应力缓冲、界面稳定与快速动力学的统一。
本发明授权一种双层纳米硅基材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双层纳米硅基材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 1将重量比为1：0.3‑15的硅料、氟化有机物置于溶剂中混合得到混合浆料A，将混合浆料A喷雾干燥后得到混合物料A； 2对所述混合物料A进行一次瞬时高温能场化，得到第一壳层包覆核层的中间体； 3将重量比为0.5‑10：1的所述中间体、氟化有机物置于溶剂中混合得到混合浆料B，将混合浆料B喷雾干燥后得到混合物料B； 4将所述混合物料B进行二次瞬时高温能场化，得到第二壳体包覆中间体的双层纳米硅基材料； 步骤2中一次瞬时高温能场化的升温速率为50‑1500℃s，处理温度为550‑1450℃，时间为0.2‑4h； 步骤4中二次瞬时高温能场化的升温速率为50‑1500℃s，处理温度为550‑1200℃，时间为0.05‑1h。
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