天津工业大学陈磊获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种基于p-n型异质结构的MPc-VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121097064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511631249.7，技术领域涉及：H01M4/48；该发明授权一种基于p-n型异质结构的MPc-VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法是由陈磊;杨帆;卢小杰;张晓亮;李文肖设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于p-n型异质结构的MPc-VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于p‑n型异质结构的MPc‑VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法，包括如下步骤：将五氧化二钒分散于去离子水中得到五氧化二钒溶液，后逐滴加入过氧化氢溶液，以多孔碳材料作为基底进行水热反应，得到VOHC前驱体；将p型半导体溶解在溶剂中后与VOHC前驱体混合在加热条件下进行反应，干燥；将干燥后的材料冷却至室温后取出后洗涤、干燥、退火，得到扇形纳米片状的复合材料MPc‑VOHC。本发明的阴极材料不仅能带结构适配、具有更高的光吸收能力，还能加速光生电子‑空穴对分离，展现出良好的光电化学性能。
本发明授权一种基于p-n型异质结构的MPc-VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于p‑n型异质结构的MPc‑VOH高效双功能光电阴极材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一、将五氧化二钒分散于去离子水中得到五氧化二钒溶液，后逐滴加入过氧化氢溶液，以多孔碳材料作为基底进行水热反应，得到VOHC前驱体； 步骤二、将p型半导体溶解在溶剂中后与VOHC前驱体混合在加热条件下进行反应，干燥后得到MPc‑VOHC复合材料，所述p型半导体选自酞菁家族中的酞菁锌、酞菁铁、酞菁铜、酞菁钴中的一种或几种的混合物； 步骤三、将干燥后的MPc‑VOHC复合材料冷却至室温后取出洗涤、干燥、退火，得到扇形纳米片状的复合材料MPc‑VOHC。
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