上海邦芯半导体科技有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666069.2，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构是由王士京;李俭;张名瑜;朱佳乐;何德钦;朱亚迪设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；执行刻蚀工艺的沉积步骤，在‑30℃以下的第一温度下，使用包括CH44、CHF33和H22的第一气体，在硅衬底和光刻胶图形上沉积a‑C:H:F交联聚合物层，以在刻蚀时对硅衬底和光刻胶图形进行保护；执行刻蚀工艺的刻蚀步骤，在‑30℃以下的第二温度下，使用包括F22和BF33的第二气体，对a‑C:H:F交联聚合物层和硅衬底进行刻蚀；依次重复执行沉积步骤和刻蚀步骤，直至在硅衬底上形成高深宽比刻蚀结构；去除光刻胶图形。本申请能实现在更小尺寸和更高深宽比下对侧壁的均匀保护，并可提升刻蚀速率。
本发明授权一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构在权利要求书中公布了：1.一种超低温深硅刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形； 执行刻蚀工艺，依次包括： ⅰ执行沉积步骤，其包括： 在‑30℃以下的第一温度下，使用包括CH4、CHF3和H2的第一气体，在所述硅衬底和所述光刻胶图形上沉积a‑C:H:F交联聚合物层，以在刻蚀时对所述硅衬底和所述光刻胶图形进行保护； ⅱ执行刻蚀步骤，其包括： 在‑30℃以下的第二温度下，使用包括F2和BF3的第二气体，对所述a‑C:H:F交联聚合物层和所述硅衬底进行刻蚀； ⅲ依次重复执行ⅰ和ⅱ，直至在所述硅衬底上形成高深宽比刻蚀结构； 去除所述光刻胶图形。
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