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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666075.8，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法是由梁洁;王士京;王兆祥;胥沛雯;朱佳乐;何德钦设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法，包括：提供材料为硅的衬底；在衬底的表面上形成多个光刻胶图形，相邻两个光刻胶图形之间具有开口；在第一超低温下，使用第一气体的等离子体，对位于开口的内底角处的衬底的界面进行轰击，形成第一保护膜；在第二超低温下，使用第二气体的等离子体，在衬底、光刻胶图形和第一保护膜上沉积聚合物层进行保护；在第三超低温下，使用第三气体的等离子体，对聚合物层和衬底进行刻蚀；重复执行沉积聚合物层和进行刻蚀的步骤，直至在衬底上形成高深宽比深硅刻蚀结构；去除光刻胶图形。本申请能实现在更小尺寸和更高深宽比下对侧壁的均匀保护，并可提升刻蚀速率。

本发明授权一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比深硅刻蚀结构的图形化方法，其特征在于，包括： 提供材料为硅的衬底； 在所述衬底的表面上形成多个光刻胶图形，相邻两个所述光刻胶图形之间具有开口； 执行第一处理步骤，在第一超低温下，使用第一气体的等离子体，对位于所述开口的内底角处的所述衬底的界面进行轰击，形成第一保护膜； 执行第二处理步骤，在第二超低温下，使用第二气体的等离子体，在所述衬底、所述光刻胶图形和所述第一保护膜上沉积聚合物层，以在刻蚀时对所述衬底和所述光刻胶图形进行保护； 执行第三处理步骤，在第三超低温下，使用第三气体的等离子体，对所述聚合物层和所述衬底进行刻蚀； 依次重复执行所述第二处理步骤和所述第三处理步骤，直至在所述衬底上形成高深宽比深硅刻蚀结构； 其中，所述第一超低温、所述第二超低温和所述第三超低温小于‑20℃，所述第一气体包括Ar，所述第一保护膜包括含碳保护膜，所述第二气体包括SF6和O2，所述聚合物层包括SiCOF化合物层，所述第三气体包括F2和CF4。

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