电子科技大学曾钊卓获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511667855.4，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器是由曾钊卓;严鹏设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器，属于自旋电子学与纳米磁性器件技术领域。该器件包括重金属层、人工亚铁磁体层以及读写端；人工亚铁磁体层由多个并行的斯格明子条状赛道组成；斯格明子条状赛道包括下层铁磁薄膜、非磁中间层、上层铁磁薄膜，上下层铁磁薄膜为饱和磁化强度不同的磁性材料，且相邻斯格明子条状赛道的净磁化强度一正一负，使相邻赛道中斯格明子向相反方向偏转，两种相反的横向位移在边界处相互抵消，从而使磁斯格明子沿着边界运动。本发明解决了斯格明子霍尔效应导致的定位不准难题，显著提升了器件的读写精度、可靠性和可扩展性，为斯格明子赛道存储器的高性能发展和实用化应用提供了有力的技术支持。
本发明授权一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于人工亚铁磁体的斯格明子赛道存储器，其特征在于，包括由下到上设置的重金属层、人工亚铁磁体层以及读写端； 其中，所述人工亚铁磁体层由至少三个并行排列的斯格明子条状赛道组成； 所述斯格明子条状赛道包括由下到上依次设置的下层铁磁薄膜、非磁中间层、上层铁磁薄膜；其中，所述下层铁磁薄膜和上层铁磁薄膜为饱和磁化强度不同的磁性材料，通过非磁中间层提供RKKY相互作用从而实现上下两层铁磁薄膜之间的反铁磁耦合，构成人工亚铁磁体；同时，相邻斯格明子条状赛道的净磁化强度一正一负，使相邻条状赛道中斯格明子向相反方向偏转，两种相反的横向位移在边界处相互抵消，从而使磁斯格明子沿着边界运动； 所述读写端包括读取端和写入端，其中写入端为位于斯格明子条状赛道正上方的磁性隧道结，通过施加脉冲电流写入人工亚铁磁斯格明子；所述读取端为位于斯格明子条状赛道交界处正上方的磁性隧道结，通过测量磁电阻读取斯格明子。
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