深圳平湖实验室王英杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511640939.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由王英杰;石瑜;冯超设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，位于衬底上的缓冲层，位于缓冲层上的势垒层，位于势垒层的部分区域上的栅极盖帽层，覆盖栅极盖帽层及部分势垒层的介质层，位于介质层两侧的源极和漏极。栅极盖帽层包括：位于势垒层上的p型半导体层和位于p型半导体层上的栅极。其中，介质层采用侧墙工艺进行制作，势垒层被介质层所覆盖区域的厚度与势垒层的其它区域的厚度不同，介质层靠近势垒层一侧的宽度大于远离势垒层一侧的宽度。侧墙工艺刻蚀后的介质层侧壁的厚度更薄，介质层覆盖势垒层的区域更小，半导体器件的漂移区面积更小，因此，减小了半导体器件的比导通电阻，提高了半导体器件的电流密度。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，位于所述衬底上； 势垒层，位于所述缓冲层上； 栅极盖帽层，位于所述势垒层的部分区域上；所述栅极盖帽层包括：位于所述势垒层上的p型半导体层和位于所述p型半导体层上的栅极； 介质层，覆盖所述栅极盖帽层及部分所述势垒层；所述势垒层的被所述介质层所覆盖区域的厚度大于所述势垒层的其它区域的厚度；所述介质层靠近所述势垒层一侧的宽度大于远离所述势垒层一侧的宽度； 源极和漏极，位于所述介质层的两侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励