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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种双结型晶体管光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511706185.2，技术领域涉及：H10F30/24；该发明授权一种双结型晶体管光电探测器是由王嘉轩;曹国洋;冯铄媛;王珈懿;杨阵海;吴绍龙设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双结型晶体管光电探测器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双结型晶体管光电探测器，涉及光电转换技术领域。光电探测器包括由下至上依次布置的衬底层、第二N型半导体层、第一N型半导体层和P型半导体层，第二N型半导体层的两侧设有第一电极层和第二电极层，P型半导体层、第一N型半导体层和第二N型半导体层的价带能量逐层递增，且第一N型半导体层的导带能量设置成高于P型半导体层和第二N型半导体层的导带能量，第一N型半导体层和第二N型半导体层的掺杂浓度小于P型半导体层的掺杂浓度，以使得P型半导体层和第一N型半导体层形成第一自建电场，第一N型半导体层和第二N型半导体层形成第二自建电场。本申请的双结型晶体管光电探测器能够同时提升响应度、响应速度和比探测率。

本发明授权一种双结型晶体管光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种双结型晶体管光电探测器，其特征在于，包括由下至上依次层叠布置的衬底层、第二N型半导体层、第一N型半导体层和P型半导体层，所述第二N型半导体层的两侧设有第一电极层和第二电极层；其中，所述P型半导体层、所述第一N型半导体层和第二N型半导体层的价带能量逐层递增，且所述第一N型半导体层的导带能量设置成高于所述P型半导体层和所述第二N型半导体层的导带能量，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层的掺杂浓度小于所述P型半导体层的掺杂浓度，以使得所述P型半导体层和所述第一N型半导体层之间形成第一自建电场，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层之间形成第二自建电场； 所述P型半导体层和所述第一N型半导体层的厚度之和为70nm‑100nm中任一值，且所述P型半导体层和所述第一N型半导体层的厚度均大于20nm； 所述P型半导体层的材质为ReS2、ReSe2、ReS2Se2、NiSe2和NiS2中任意一种； 所述第一N型半导体层的材质为MoS2、MoSe2和MoS2Se2中任意一种； 所述第二N型半导体层的材质为Si、GaAs和GaP中任意一种。

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