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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种晶硅太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511707752.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种晶硅太阳能电池及其制备方法是由苏晓东;陈芸;芦政;邹帅设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶硅太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。制备方法包括：对整晶硅太阳能电池进行切割处理，制备获得具有至少一个裂面的多个分晶硅太阳能电池；对每个分晶硅太阳能电池的裂面进行一次退火处理，一次退火处理为将分晶硅太阳能电池的裂面放置于加热台，制备获得厚度在1nm‑20nm中任一值的氧化硅氧化铝复合钝化层；将经一次退火处理的裂面放置于涂覆有钝化液的平台上进行钝化处理，制备获得厚度为1nm‑50nm中任一值的再钝化层；将再钝化层放置于加热台进行二次退火处理，制备获得晶硅太阳能电池。本申请制备方法制备成本低、工艺兼容性高且钝化效果优异，能够实现产业化。

本发明授权一种晶硅太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 对整晶硅太阳能电池进行切割处理，制备获得具有至少一个裂面的多个分晶硅太阳能电池； 对每个所述分晶硅太阳能电池的所述裂面进行一次退火处理，所述一次退火处理为将所述分晶硅太阳能电池放置于加热台，并使得所述裂面与所述加热台的加热面贴合，制备获得厚度在1nm‑20nm中任一值的氧化硅氧化铝复合钝化层，所述加热台的顶面设有铝基扩散层，所述一次退火处理的温度为200℃‑800℃中任一值，退火时间为1s‑30min中任一值； 将经所述一次退火处理的所述分晶硅太阳能电池放置于涂覆有钝化液的平台上进行钝化处理，制备获得厚度为1nm‑50nm中任一值的再钝化层； 将所述再钝化层放置于所述加热台进行二次退火处理，制备获得所述晶硅太阳能电池；其中，所述二次退火处理的退火温度小于或等于所述一次退火处理的退火温度，所述二次退火处理的退火时间为20min‑40min中任一值，所述钝化液的pH为3.0‑5.0中任一值。

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