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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利双腔刻蚀设备的控制方法和双腔刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511767370.2，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权双腔刻蚀设备的控制方法和双腔刻蚀设备是由杨建炜;涂乐志;王兆祥;梁洁;王晓雯设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本双腔刻蚀设备的控制方法和双腔刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双腔刻蚀设备的控制方法和双腔刻蚀设备，控制方法包括以下步骤：提供双腔刻蚀设备，其包括第一反应腔、第二反应腔、与第一反应腔连通的辅助气体控制管路、设有摆阀的排气管路、控制模块；将同一批次的晶圆分别传输至第一反应腔和第二反应腔以进行N轮双腔刻蚀工艺，摆阀向控制模块发送进行双腔刻蚀工艺时摆阀的第一开度；将该批次不足以进行双腔刻蚀工艺的剩余的晶圆传输至第二反应腔进行单腔刻蚀工艺，控制模块控制辅助气体控制管路向第一反应腔内输送辅助气体并调节输送的辅助气体的流量，直至在第二反应腔进行单腔刻蚀工艺时摆阀的实时开度被驱动为与第一开度相适配。本申请解决了单腔刻蚀速率与双腔刻蚀速率不一致的问题。

本发明授权双腔刻蚀设备的控制方法和双腔刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种双腔刻蚀设备的控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供双腔刻蚀设备，所述双腔刻蚀设备包括第一反应腔、第二反应腔、辅助气体控制管路、排气管路和控制模块，所述辅助气体控制管路与所述第一反应腔连通，所述排气管路分别与所述第一反应腔和所述第二反应腔连通，且所述排气管路设有摆阀，所述控制模块分别与所述辅助气体控制管路和所述摆阀连接； 将同一批次的晶圆分别传输至所述第一反应腔和所述第二反应腔以进行N轮双腔刻蚀工艺，N为大于或等于1的正整数，所述摆阀向所述控制模块发送进行双腔刻蚀工艺时所述摆阀为维持目标腔室压力的第一开度； 当该批次剩余的晶圆不足以进行所述双腔刻蚀工艺时，执行第N+1轮工艺，将该批次剩余的所述晶圆传输至所述第二反应腔进行单腔刻蚀工艺，所述控制模块控制所述辅助气体控制管路向所述第一反应腔内输送辅助气体，并根据调节模式调节输送的所述辅助气体的流量，直至在所述第二反应腔进行所述单腔刻蚀工艺时，所述摆阀的实时开度被驱动为与所述第一开度相适配。

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