华中科技大学刘天翔获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121256989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511812301.9，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法及装置是由刘天翔;罗俊强;洪森;杨路;李天乐;贾伊非;杨凯;罗伊逍;熊飞;罗成设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法，所述方法包括：通过将定子d轴磁动势按绕组不对称分布拆分为大小极磁动势分布数据、转子永磁体磁动势按均匀分布拆分为永磁体特征位置磁动势分布数据，分别建立定子侧大小极磁路模型与转子侧永磁体特征位置磁路模型，识别两套模型共用磁阻区域并采用关键磁导率冻结法得到冻结后共用磁阻数据，再基于该数据对永磁体特征位置磁路模型进行参数修正，最后将大小极磁路模型与修正后的永磁体特征位置磁路模型联立迭代至磁通密度误差小于预设阈值，所得自洽磁通分布数据计算出的电机d轴电感更精确，从而在不增加有限元级计算负担的前提下显著提升了d轴‑永磁体交叉耦合磁场计算精度。
本发明授权一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于解耦交叉融合磁路的电机设计方法，其特征在于，包括： 将定子d轴磁动势按照绕组不对称分布拆分为大小极磁动势分布数据，将转子永磁体磁动势按照均匀分布拆分为永磁体特征位置磁动势分布数据； 根据所述大小极磁动势分布数据建立定子侧大小极磁路模型，根据所述永磁体特征位置磁动势分布数据建立转子侧永磁体特征位置磁路模型； 识别所述大小极磁路模型与所述永磁体特征位置磁路模型之间的共用磁阻区域，并在所述共用磁阻区域中采用关键磁导率冻结法，得到冻结后共用磁阻数据； 基于所述冻结后共用磁阻数据对永磁体特征位置磁路模型进行参数修正，得到修正后的永磁体特征位置磁路模型； 将所述大小极磁路模型与修正后的永磁体特征位置磁路模型联立，通过迭代计算使磁通密度误差小于预设阈值，得到自洽后的磁通分布数据，并根据所述自洽后的磁通分布数据计算电机d轴电感，得到电机设计参数。
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