台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912798U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421582481.7，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体结构是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：提供半导体结构。半导体结构包括逻辑装置、连接至逻辑装置的第一接点、在逻辑装置上且连接至逻辑装置的第一电源轨以及在该逻辑装置上的第二电源轨。具有包括铟、镓、锌与氧的通道区的晶体管在第二电源轨上且连接至第二电源轨。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一逻辑装置； 一第一接点，连接该逻辑装置； 一第一电源轨，在该逻辑装置上且连接该逻辑装置； 一第二电源轨，在该逻辑装置上；以及一晶体管，具有一通道区，该通道区包括在该第二电源轨上的非晶氧化铟镓锌IGZO且连接至该第二电源轨。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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