南京邮电大学吴洁获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912817U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422356062.8，技术领域涉及：H10K10/46；该实用新型基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管是由吴洁;崔胜男;徐勇;孙华斌;吴逸平;陈泉桦;杨旭其设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型属于电子材料及器件技术领域，特别涉及一种基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管，包括衬底，以及依次设置在衬底上由N2200制成的有机半导体层、聚合物介电层和聚合物封装层；所述有机半导体层一端电性连接有源极，另一端电性连接有漏极；所述聚合物介电层和聚合物封装层之间设有栅极，所述栅极与聚合物介电层电性连接在一起；所述有机半导体层采用的材料为聚萘二亚胺‑联噻吩PDNI2OD‑T2，即为N2200。本实用新型利用N2200作为有机半导体层，在衬底上蒸镀镍和金作为源漏电极，采用聚甲基丙烯酸甲酯为介电层，制备出顶栅底接触高性能晶体管，同时采用简易旋涂法在有机场效应晶体管表面添加封装层，能有效减少封装薄膜表面缺陷，操作简单，复杂度降低。
本实用新型基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于N2200的顶栅底接触聚合物场效应晶体管，其特征在于：包括衬底，以及依次设置在衬底上由N2200制成的有机半导体层、聚合物介电层和聚合物封装层； 所述有机半导体层一端电性连接有源极，另一端电性连接有漏极； 所述聚合物介电层和聚合物封装层之间设有栅极，所述栅极与聚合物介电层电性连接在一起，所述聚合物介电层的溶液为聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸丁酯溶液； 所述有机半导体层采用的材料为聚萘二亚胺‑联噻吩PDNI2OD‑T2，即为N2200； 所述聚合物封装层采用的封装材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲硅氧烷或聚乙二醇中的一种； 所述源极与漏极采用的材料为镍和金；所述源极与漏极与衬底接触一侧为镍，金在镍之上，所述源极与漏极中镍的厚度为5nm，金的厚度为50nm。
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