三星电子株式会社李斗铉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010715381.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件是由李斗铉;申宪宗;郭玟灿;朴贤镐;郑圣宪;郑涌植;池祥源;黄寅灿设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极漏极图案，在第一有源区上；第二源极漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极漏极图案与第二源极漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括第一有源区和第二有源区； 第一源极漏极图案，在所述第一有源区上； 第二源极漏极图案，在所述第二有源区上； 层间电介质层，在所述衬底上并覆盖所述第一源极漏极图案和所述第二源极漏极图案； 分隔电介质图案，在所述第一源极漏极图案与所述第二源极漏极图案之间的所述衬底上，所述分隔电介质图案穿透所述层间电介质层；以及第一接触图案，在所述第一源极漏极图案上，其中所述第一接触图案包括： 第一金属图案； 第一阻挡图案，在所述第一金属图案与所述第一源极漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在所述第一阻挡图案与所述第一源极漏极图案之间，其中所述第一阻挡图案接触所述分隔电介质图案并且沿着所述第一金属图案的与所述分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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